隨著流水線ADC精度的不斷提高,其轉(zhuǎn)換器性能受到各種電路非線性的嚴(yán)重影響。電容失配是引起非線性的一種主要因素。實(shí)踐表明,電容誤差平均技術(shù)是消除失配誤差的一種有效途徑。介紹幾種重要的電容誤差平均方法的原理和工作方式,并指出各自存在的優(yōu)缺點(diǎn)。最后對誤差校準(zhǔn)技術(shù)的發(fā)展趨勢進(jìn)行分析與展望。
在高速數(shù)據(jù)率下,低電容 ESD 保護(hù)對于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 協(xié)議的數(shù)據(jù)完整性是很關(guān)鍵的?! ∪澜缬袛?shù)百萬的家庭都已經(jīng)在通過衛(wèi)星電視、有線電視以及陸地廣播享用互動式電視 (
1 概述RF9958 是RF Micro Device公司推出的CDMA/FM發(fā)送調(diào)制器。它在內(nèi)部集成了完整的正交解調(diào)器、中頻自動增益控制(AGC)放大器和上變頻器,可用于雙模式的 CDMA/FM蜂窩移動通信系統(tǒng)和PCS系統(tǒng)中的發(fā)送單元。該芯片可
1、電容屏基本結(jié)構(gòu) 電容技術(shù)的觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃層,如圖。玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ITO導(dǎo)電層,最外層是只有0.0015毫米厚的矽土玻璃保護(hù)層。內(nèi)層ITO作為屏蔽屋,以保證良好的工作環(huán)境,夾層ITO涂
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已推出一款既便利和易于實(shí)施、而且低成本的觸摸傳感器IC產(chǎn)品AT42QT1040,為對價(jià)格敏感的消費(fèi)電子和移動設(shè)備帶來電容性用戶界面。這款器件采用20腳3mm x 3mm VQFN封裝,適用
吉時(shí)利儀器公司日前宣布對其屢獲殊榮的4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)進(jìn)行全面的硬件、固件和軟件升級。吉時(shí)利測試環(huán)境交互式軟件(KETI)V7.2版經(jīng)過升級囊括九種新的太陽能電池測試庫,擴(kuò)展了系統(tǒng)電容-電壓(C-V)測量
QTouch電容性觸摸按鈕控制器(Atmel)
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據(jù)國外媒體報(bào)道,市場調(diào)研公司iSuppli最新報(bào)告稱,由于受蘋果iPhone手機(jī)流行的影響,觸摸屏技術(shù)已經(jīng)成為手機(jī)行業(yè)的熱門話題。 調(diào)查公司預(yù)期,今年全球觸摸屏的發(fā)貨量將達(dá)到3.41億個(gè),銷售收入達(dá)到34億美元
摘要:超寬帶UWB是一種利用納秒級窄脈沖發(fā)送信息的技術(shù)。重點(diǎn)討論了一種采用級聯(lián)雪崩晶體管結(jié)構(gòu)UWB極窄脈沖發(fā)生器,并對其電路及雪崩晶體管的工作原理進(jìn)行了具體分析。實(shí)驗(yàn)獲得的UWB輸出脈沖寬度約為1.22ns,上升時(shí)間