0 引言 555時基電路是一種雙極型的時基集成電路,工作電源為4.5v~18v,輸出電平可與TTL、CMOS和HLT邏輯電路兼容,輸出電流為200mA,工作可靠,使用簡便而且成本低,可直接推動揚聲器、電感等低阻抗負載,還可
本文對E類功率放大器中的并聯(lián)電容進行了詳細的介紹,并給出了計算方法;對并聯(lián)電容在E類功率放大器中的作用進行了分析,同時還給出了含并聯(lián)電容的E類放大器設計方法,以方便E類功率放大器的設計。
本文對E類功率放大器中的并聯(lián)電容進行了詳細的介紹,并給出了計算方法;對并聯(lián)電容在E類功率放大器中的作用進行了分析,同時還給出了含并聯(lián)電容的E類放大器設計方法,以方便E類功率放大器的設計。
隨著手機等便攜設備中具備更多的功能,可供靜電放電(ESD)電壓進入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多,包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護。根據(jù)
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機箱冷卻方面的負擔)、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性,如易于并聯(lián)、遙控和某些過載保護功能等。同時
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機箱冷卻方面的負擔)、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性,如易于并聯(lián)、遙控和某些過載保護功能等。同時
根據(jù)DisplaySearch最新發(fā)表的2009觸控面板市場分析報告,2008年全球觸控面板模塊的產值已經(jīng)達到了36億美元,預計到了2015年,產值將高達90億美元,年復合增長率為14%。由于具有使用容易及直覺化的人機接口,同時為人
根據(jù)DisplaySearch最新發(fā)表的2009觸控面板市場分析報告,2008年全球觸控面板模塊的產值已經(jīng)達到了36億美元,預計到了2015年,產值將高達90億美元,年復合成長率為14%。由于具有使用容易及直覺化的人機接口,同時為人
用增加RFI電容來控制干擾的老經(jīng)驗法則實際上會導致與天線布放位置有關的干擾的增加。系統(tǒng)設計人員在使用RFI電容作為可能的RFI解決方案前,就應該考慮到無線產品設計中天線的位置。高值反饋電阻和MOSFET輸入放大器的經(jīng)驗設計法則,對改善近場條件下電路的抗射頻干擾能力仍然有效。
用增加RFI電容來控制干擾的老經(jīng)驗法則實際上會導致與天線布放位置有關的干擾的增加。系統(tǒng)設計人員在使用RFI電容作為可能的RFI解決方案前,就應該考慮到無線產品設計中天線的位置。高值反饋電阻和MOSFET輸入放大器的經(jīng)驗設計法則,對改善近場條件下電路的抗射頻干擾能力仍然有效。
引言 RFID(Radio Frequency Identification),中文稱為無線射頻身份識別是一種非接觸式IC卡技術。它通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數(shù)據(jù),識別工作無須人工干預。RFID技術具有很多突出的優(yōu)點:防水、防磁
隨著流水線ADC精度的不斷提高,其轉換器性能受到各種電路非線性的嚴重影響。電容失配是引起非線性的一種主要因素。實踐表明,電容誤差平均技術是消除失配誤差的一種有效途徑。介紹幾種重要的電容誤差平均方法的原理和工作方式,并指出各自存在的優(yōu)缺點。最后對誤差校準技術的發(fā)展趨勢進行分析與展望。
在高速數(shù)據(jù)率下,低電容 ESD 保護對于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 協(xié)議的數(shù)據(jù)完整性是很關鍵的?! ∪澜缬袛?shù)百萬的家庭都已經(jīng)在通過衛(wèi)星電視、有線電視以及陸地廣播享用互動式電視 (
1 概述RF9958 是RF Micro Device公司推出的CDMA/FM發(fā)送調制器。它在內部集成了完整的正交解調器、中頻自動增益控制(AGC)放大器和上變頻器,可用于雙模式的 CDMA/FM蜂窩移動通信系統(tǒng)和PCS系統(tǒng)中的發(fā)送單元。該芯片可
1、電容屏基本結構 電容技術的觸摸屏是一塊四層復合玻璃層,如圖。玻璃屏的內表面和夾層各涂有一層ITO導電層,最外層是只有0.0015毫米厚的矽土玻璃保護層。內層ITO作為屏蔽屋,以保證良好的工作環(huán)境,夾層ITO涂
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構,該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結擴散,形成體接觸的側面引出,適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明,該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且,該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應。
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構,該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結擴散,形成體接觸的側面引出,適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明,該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且,該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應。
愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已推出一款既便利和易于實施、而且低成本的觸摸傳感器IC產品AT42QT1040,為對價格敏感的消費電子和移動設備帶來電容性用戶界面。這款器件采用20腳3mm x 3mm VQFN封裝,適用
吉時利儀器公司日前宣布對其屢獲殊榮的4200-SCS半導體特征分析系統(tǒng)進行全面的硬件、固件和軟件升級。吉時利測試環(huán)境交互式軟件(KETI)V7.2版經(jīng)過升級囊括九種新的太陽能電池測試庫,擴展了系統(tǒng)電容-電壓(C-V)測量