1 引 言 通信對抗系統(tǒng)需要在復(fù)雜的信息環(huán)境下實現(xiàn)對信號的處理,需要濾波器實現(xiàn)信號的選擇,濾波器主要應(yīng)用于分離信號、抑制干擾,這是濾波器最廣泛和最基本的應(yīng)用。在這種應(yīng)用中,他使所需要頻率的信號順利通過,
本文用到美國 Micmchip公司PICl6LF874單片機(jī),該單片機(jī)采用RISC精簡指令集、哈佛總線結(jié)構(gòu)、流水線指令方式,具有抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、高性能、價格低等特性。 1 PICl6LF874單片機(jī) PICl6系列單片機(jī)采用精簡指
指輸出頻率與輸入控制電壓有對應(yīng)關(guān)系的振蕩電路,常以符號(VCO)(Voltage Controlled Oscillator)。其特性用輸出角頻率ω0與 輸入控制電壓uc之間的關(guān)系曲線(圖1)來表示。圖1中,uc為零時的角頻率ω0,0稱為自由
指輸出頻率與輸入控制電壓有對應(yīng)關(guān)系的振蕩電路,常以符號(VCO)(Voltage Controlled Oscillator)。其特性用輸出角頻率ω0與 輸入控制電壓uc之間的關(guān)系曲線(圖1)來表示。圖1中,uc為零時的角頻率ω0,0稱為自由
大多數(shù)人都相信高亮度LED(HBLED)將是照明最終的明智選擇。HBLED的制造商大幅度地提高產(chǎn)品的每瓦流明數(shù),不斷地改進(jìn)產(chǎn)品能效,這也使得HBLED越來越受歡迎。相信不久之后,LED的每瓦流明數(shù)將大大超過現(xiàn)在的熒光燈水平
受到行動裝置逐漸擴(kuò)大應(yīng)用電容式觸控面板影響,南韓主要觸控面板供應(yīng)商近年來持續(xù)大幅擴(kuò)充觸控面板產(chǎn)能,尤其是電容式觸控面板產(chǎn)品。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research調(diào)查,到2011年6月底為止,南韓8大觸控面板廠商合
大多數(shù)人都相信高亮度LED(HBLED)將是照明最終的明智選擇。HBLED的制造商大幅度地提高產(chǎn)品的每瓦流明數(shù),不斷地改進(jìn)產(chǎn)品能效,這也使得HBLED越來越受歡迎。相信不久之后,LED的每瓦流明數(shù)將大大超過現(xiàn)在的熒光燈水平
大多數(shù)人都相信高亮度LED(HBLED)將是照明最終的明智選擇。HBLED的制造商大幅度地提高產(chǎn)品的每瓦流明數(shù),不斷地改進(jìn)產(chǎn)品能效,這也使得HBLED越來越受歡迎。相信不久之后,LED的每瓦流明數(shù)將大大超過現(xiàn)在的熒光燈水平
投射電容多點觸控螢?zāi)灰呀?jīng)成為智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的主流功能,但投射電容多點觸控面板目前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn),在于要能精確反應(yīng)真實的觸控座標(biāo)、防止假性觸點效應(yīng)、避免手掌近接誤讀。更重要的關(guān)鍵,在于投射電容
特性阻抗測試儀Qmax CIMS1000 是一種新型的用于PCB和線纜測試的特性阻抗測試儀器。該儀器利用電路中L/C回路來測定,并根據(jù)基本公式Zo=Sqrt(L/C)來計算實際阻抗值。 Qmax CIMS1000還能夠給用戶提供線速和線寬等
對數(shù)字電路設(shè)計者來說,通孔的電感比電容更重要。每個通孔都有寄生中聯(lián)電感。因為通孔的實體結(jié)構(gòu)小,其特性非常像素集總電路元件。通孔串聯(lián)電感的主要影響是降低了電源旁路電容的有效性,這將使整個電源供電濾波效果
每個通孔都有對地寄生電容。因為通孔的實體結(jié)構(gòu)小,其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個數(shù)量以內(nèi)估算一個通孔的寄生電容的值:其中,D2=地平面上間隙孔的直徑,IN D1=環(huán)繞通孔的焊盤的直徑,IN
張掖電網(wǎng)“十二五”規(guī)劃預(yù)計我市社會用電量將達(dá)40億千瓦時,年均增長率為8.67%。 其規(guī)劃投資16.5億元,補(bǔ)強(qiáng)330千伏變電站布點,建成高臺變、高臺南牽、臨澤南牽、張掖南牽、民樂牽、軍馬場牽供電工程;新建110千伏平
電容式觸控技術(shù)中誤觸與偵測手指座標(biāo)位置所產(chǎn)生的鬼點(Ghost Position)問題,一直難以突破,為解決上述問題,提供用戶更佳的使用者經(jīng)驗,電容式觸控IC廠商紛紛從自電容(Self Capacitance)轉(zhuǎn)向新的互電容(Mutual Capa
這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關(guān)的特性。大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變
為了分析方便,在實際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的 RLC模型。因為對電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL,我們通常采用下圖中簡化的實際模型進(jìn)行分析:上式就是電容的容抗
電壓型單相半橋式整流電路一、主電路的結(jié)構(gòu) 1、倍壓電路:如果假定T1/T2始終處于關(guān)斷狀態(tài),則輸入電壓正半周期間D1/on,電容Cd1上直流電壓uc1近似等于輸入電源的峰值uNm;同理可知,電容Cd2上直流電壓uc2 近似等于
原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當(dāng)電路發(fā)生諧振時,L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測量出R4
1個X2Y電容是一種平衡的MLCC解決方案,其內(nèi)部有三條不同的電信號通道,有四個外部連接端口(圖5)。 G1和G2端口內(nèi)部連接到器件內(nèi)一個共用參考(屏蔽)電極,并且A&B板由此參考電極隔離。根據(jù)靜電學(xué)理論,三個電節(jié)點
大信號(0.5V以上)檢波器,也稱包絡(luò)檢波器。1、串聯(lián)型二極管峰值包絡(luò)檢波器該種檢波器的原理電路如圖5.5-10A所示。在電路中,信號源U1、二極管VD和檢波負(fù)載RLCL是串聯(lián)相接的,故稱之為串聯(lián)型二極管峰值包絡(luò)檢波器。