如圖所示為由INA321/322構(gòu)成的直接驅(qū)動(dòng)電容性輸入的A/D變換器。由于INA321/322輸出為低阻,因此在高頻工作時(shí)可以直接驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載。輸入電壓經(jīng)過INA321/322放大輸出,直接送到12位高速低功耗采樣A/D轉(zhuǎn)換器ADS
如圖所示為采用反饋電容改進(jìn)動(dòng)態(tài)特性的INA321/322放大電路。在反饋電阻RF兩端并聯(lián)反饋電容CF,其作用在于補(bǔ)償反饋電阻、RG輸入端等效電容及電路板雜散電容對(duì)高頻信號(hào)的影響,使電路具有最佳的快速穩(wěn)定時(shí)間。輸出
如圖所示為由INA331/332構(gòu)成的直接驅(qū)動(dòng)電容性輸入的A/D變換器。由于INA331/332輸出為低阻,因此在高頻工作時(shí)可以直接驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載。輸入電壓經(jīng)過INA331放大輸出,直接送到12位高速低功耗采樣A/D轉(zhuǎn)換器ADS7818或
東電化(上海)國際貿(mào)易有限公司 技術(shù)部經(jīng)理 鐮形利通HDMI v1.3標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到3.4Gbps,這加增大選擇EMI/ESD保護(hù)元件的難度。在EMI對(duì)策中,盡管大多數(shù)情況下可以有效使用共模濾波器(CMF),但是如果選擇了錯(cuò)誤的
很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護(hù)插件板時(shí),通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。
很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護(hù)插件板時(shí),通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。
如圖所示為MAX4188/4189/4190采用隔離電阻Rs構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載電路。MAX4188/4189/4190具有良好的交流特性,但是電抗性負(fù)載會(huì)降低其相位容限,引起脈沖信號(hào)過沖振鈴和振蕩。與大多數(shù)高速放大器不同,MAX4188/
如圖所示為由MAX4100/4101采用隔離電阻Rs構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載電路。MAX4100/4101最大允許電容性負(fù)載分別為5pF和20pF,超過就有可能出現(xiàn)過沖振鈴和振蕩。該電路在輸出端與負(fù)載之間加了一個(gè)隔離電阻Rs,用于抑制過沖
如圖所示為由MAX4223~MAX4228采用隔離電阻RISO構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載電路。MAX4223~MAX4228最大允許電容性負(fù)載為25pF而不會(huì)產(chǎn)生過沖振鈴和振蕩,超過25pF就有可能出現(xiàn)過沖振鈴和振蕩。該電路在輸出端與負(fù)載之間加了
如圖所示為由MAX4450/4451采用隔離電阻RISO構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載電路。該電路在輸出端與負(fù)載之間加一個(gè)電阻RISO,用于抑制過沖振鈴和振蕩,RISO阻值為20~30Ω。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; new
在射頻前端芯片的設(shè)計(jì)中,高集成度成為設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。就目前射頻前端芯片來說,實(shí)現(xiàn)中頻濾波器的片上集成是提高芯片集成度的最有效手段,有源Gm-C濾波器就是一種可集成具有較高性能的濾波器。 Gm-C濾波器的實(shí)現(xiàn)方式有很多種,常見的結(jié)構(gòu)主要有Biquad結(jié)構(gòu)、Gyrator結(jié)構(gòu)和Leapfrog結(jié)構(gòu)。Biquad結(jié)構(gòu)簡單,易于調(diào)諧,但是階數(shù)較低,Q值不夠高,一般在3左右。Leapfrog結(jié)構(gòu)受Gm單元直流偏移的影響很小,但是設(shè)計(jì)過程較為繁瑣。本文采用Gyrator結(jié)構(gòu),其實(shí)現(xiàn)方法簡單,電路原理清晰,有較好的電性能,但Gyrator對(duì)浮地電容的復(fù)數(shù)變換在很多文獻(xiàn)中都沒有詳細(xì)的介紹和論證,在橢圓函數(shù)復(fù)數(shù)濾波器的設(shè)計(jì)中會(huì)遇到很大困難。筆者對(duì)一些類似的變換結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,經(jīng)過對(duì)電容傳輸函數(shù)的推導(dǎo),總結(jié)出浮地電容的復(fù)數(shù)變換理論和方法。