摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖,
各界對臺積電(2330)第4季28納米產(chǎn)能利用率疑慮提高,臺積電代理發(fā)言人孫又文昨(25)日首度松口表示,第4季28納米產(chǎn)能利用率可能不會滿載,但她也強調(diào),臺積電28納米制程的技術(shù)仍遙遙領(lǐng)先其它對手。臺積電董事長張
各界對臺積電(2330)第4季28納米產(chǎn)能利用率疑慮提高,臺積電代理發(fā)言人孫又文昨(25)日首度松口表示,第4季28納米產(chǎn)能利用率可能不會滿載,但她也強調(diào),臺積電28納米制程的技術(shù)仍遙遙領(lǐng)先其它對手。 臺積電董事
美商格羅方德(Global Foundries)積極布局28納米制程,企圖以低價搶單的手段撼動晶圓代工龍頭廠臺積電的地位,格羅方德繼日前搶下美商高通的手機芯片大單后,近期傳 出已與國內(nèi)手機芯片龍頭廠聯(lián)發(fā)科完成28納米制程的
摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖,
摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖,
摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖,
美商格羅方德(GlobalFoundries)積極布局28納米制程,企圖以低價搶單的手段撼動晶圓代工龍頭廠臺積電的地位,格羅方德繼日前搶下美商高通的手機芯片大單后,近期傳出已與國內(nèi)手機芯片龍頭廠聯(lián)發(fā)科(2454)完成28納米
美商格羅方德(Global Foundries)積極布局28納米制程,企圖以低價搶單的手段撼動晶圓代工龍頭廠臺積電的地位,格羅方德繼日前搶下美商高通的手機芯片大單后,近期傳出已與國內(nèi)手機芯片龍頭廠聯(lián)發(fā)科(2454)完成28納
臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰(zhàn)火將擴大延燒。中國大陸IC設(shè)計業(yè)者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發(fā)。瞄準(zhǔn)此一商機,臺積電與格羅方德均積極展開擴產(chǎn),并致力強化技術(shù)支援能力,以爭取大
臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰(zhàn)火將擴大延燒。中國大陸IC設(shè)計業(yè)者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發(fā)。瞄準(zhǔn)此一商機,臺積電與格羅方德均積極展開擴產(chǎn),并致力強化技術(shù)支援能力,以爭取大
臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰(zhàn)火將擴大延燒。中國大陸IC設(shè)計業(yè)者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發(fā)。瞄準(zhǔn)此一商機,臺積電與格羅方德均積極展開擴產(chǎn),并致力強化技術(shù)支援能力,以爭取大
28納米制程一向領(lǐng)先同業(yè)的晶圓代工龍頭臺積電,即將遭遇美商格羅方德(Global Foundries)的競爭。 業(yè)界傳出,格羅方德降價逾一成,搶下美商高通的手機芯片大單,預(yù)定第4季投片,可能沖擊臺積電營運。 臺積電發(fā)
一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米
聯(lián)電將跳過20奈米(nm)制程節(jié)點,全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20奈米研發(fā)所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計劃在量產(chǎn)28奈米后,直接跨過20奈米節(jié)點,加速挺進更具投資效益的14奈米FinFET世
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后