22納米到底如何小而強大？

最早由貝爾實驗室在1947年開發(fā)的晶體管非常大，以至于可用手直接進行組裝。與之形成強烈對比的是，一個針頭上就可以容納超過1億個22納米三柵極晶體管。 本文一個英文句點符號上可以容納超過600萬個22納米三柵極

場效應管檢測方法與經(jīng)驗

場效應管檢測方法與經(jīng)驗 一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極 根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥

場效應管檢測方法與經(jīng)驗

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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗

本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應用中的優(yōu)勢。

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗

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柵極低壓保護驅(qū)動電路圖

柵極低壓保護驅(qū)動電路圖

【名詞解釋】非晶硅TFT（amorphous silicon TFT）

目前，大多數(shù)正在量產(chǎn)的液晶面板使用的驅(qū)動元件均為非晶硅TFT。非晶硅TFT的開關特性優(yōu)異，利用非晶硅TFT驅(qū)動的液晶面板用途廣泛，小至手機和數(shù)碼相機等小型顯示屏，大至超過30英寸的大尺寸液晶電視。 非晶硅是指

從成本和技術角度看高通28nm產(chǎn)品HKMG工藝

大家都知道幾天前高通正式發(fā)布了現(xiàn)有Scorpion核心的下一代移動微處理器krait產(chǎn)品系列，這款新產(chǎn)品由于較早地采用了28nm制程，因此引起了 各方的注意。不過，與大家的期望相反，不久前高通曾經(jīng)在IDEM大會上表示其大

GLOBALFOUNDRIES CEO：2011主攻28nm工藝

半導體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會，該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結(jié)和2011年的展望。 ● 重點提高晶圓加工能力 Grose首先對2010年進行了回

GlobalFoundries公司的20nm工藝：將與臺積電同樣采用后柵極方式

日前，美國GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官Douglas Grose就今后的發(fā)展戰(zhàn)略及工藝開發(fā)等問題闡述了該公司的觀點。這是在“世界半導體高層論壇＠東京2011～半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展宣言～”（2011年1月24日在“日經(jīng)禮堂”舉行，《

GF的20nm工藝：“將與臺積電同樣采用后柵極方式”

日前，美國GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官Douglas Grose就今后的發(fā)展戰(zhàn)略及工藝開發(fā)等問題闡述了該公司的觀點。這是在“世界半導體高層論壇＠東京2011～半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展宣言～”（2011年1月24日在“日經(jīng)禮堂”舉行，《

GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年開始20nm工藝量產(chǎn)”

美國知名半導體代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在東京召開了記者招待會，該公司首席執(zhí)行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工藝的量產(chǎn)和產(chǎn)能擴大計劃。28nm工藝方面，預定2011年4～6月進行首批顧客的送

IBM展示全世界第一塊20納米低功耗晶圓

上周舉行的Common Platform 2011技術大會上，IBM領銜的通用技術聯(lián)盟各自介紹了其半導體制造工藝的最新進展，藍色巨人自己更是拿出了全世界第一塊采用20nm工藝的晶圓。 全世界第一塊20nm晶圓 據(jù)介紹，這塊晶

晶圓代工巨擘Globalfoundries今年資本支出擬倍增

晶圓代工巨擘Globalfoundries Inc.擴張版圖企圖心旺！該公司財務長Robert Krakauer在接受彭博社專訪時表示，今(2011)年度計劃將資本支出拉高至54億美元，此金額相當于去年度的2倍。報導指出，這些支出為德國德勒斯登

晶圓代工巨擘Globalfoundries今年資本支出擬增一倍

晶圓代工巨擘Globalfoundries Inc.擴張版圖企圖心旺！該公司財務長Robert Krakauer在接受彭博社專訪時表示，今(2011)年度計劃將資本支出拉高至54億美元，此金額相當于去年度的2倍。報導指出，這些支出為德國德勒斯登

英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當先

美國英特爾和美國IQE共同開發(fā)出了多柵極構(gòu)造的III-V族半導體溝道FET（演講編號：6.1）。提高了溝道控制性，與平面構(gòu)造的III-V族半導體溝道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏極感應勢壘降低）

三星電子籌劃晶圓代工大躍進

日前召開的ARM技術大會上，三星電子傳出消息，計劃大力推動高-K介質(zhì)的32nm制程。 今年6月，韓國三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術，滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/

三星電子籌劃晶圓代工大躍進

日前召開的ARM技術大會上，三星電子傳出消息，計劃大力推動高-K介質(zhì)的32nm制程。 今年6月，韓國三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術，滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金

IBM晶圓廠聯(lián)盟否認遭遇高介電/金屬柵極制程問題

成員包括GlobalFoundries、Samsung等廠商的IBM晶圓廠聯(lián)盟，反駁了業(yè)界傳言該聯(lián)盟在高介電/金屬柵極(high-k/metal-gate)遭遇困難的傳言。根據(jù)Barclays Bank分析師Andrew Lu的一篇報告指出，由于可減少柵極漏電流，高介