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英特爾45納米高-k金屬柵極處理器全面無鉛化
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英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破
英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計(jì)方面取得了一個(gè)最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以
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IGBT的保護(hù)
通過對IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，采取相應(yīng)措施對其進(jìn)行保護(hù)，以保證其安全可靠工作。
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