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英特爾45納米高-k金屬柵極處理器全面無鉛化
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英特爾發(fā)布晶體管技術重大突破
英特爾公司宣布在基礎晶體管設計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以
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IGBT的保護
通過對IGBT損壞機理的分析，根據其損壞的原因，采取相應措施對其進行保護，以保證其安全可靠工作。
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