今晚9點(diǎn),華為舉辦了華為P40系列全球線上發(fā)布會,在會上,除了展示華為最新旗艦機(jī)型華為P40系列外,還介紹了多款為華為P40系列推出的官方特色保護(hù)殼,不僅僅樣式多樣,其功能也非常有趣,讓我們來看看吧。
許多用來阻止或消滅攜帶疾病的蚊子的化學(xué)物質(zhì)會污染生態(tài)系統(tǒng),并推動(dòng)更多有問題的抗殺蟲劑物種的進(jìn)化。慶幸的是,我們很快就會有更好的選擇。 據(jù)外媒報(bào)道,近日,由格勒諾布爾阿爾卑斯大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的并在《自然通訊》上
近日外媒報(bào)道,華為下一代麒麟旗艦芯片985目前交給臺積電進(jìn)行批量生產(chǎn)麒麟985芯片。據(jù)悉,華為旗艦機(jī)Mate 30系列將搭載的麒麟985芯片,該芯片是基于臺積電7nm+EUV(極紫外光刻工藝)工藝,這也是臺積電首次生產(chǎn)EUV光刻技術(shù)。
性質(zhì)柔軟、厚度只有幾納米、光學(xué)性能良好……記者近日從南京工業(yè)大學(xué)獲悉,該校王琳教授課題組制備出一種超薄的高質(zhì)量二維碘化鉛晶體,并且通過它實(shí)現(xiàn)了對二維過渡金屬硫化物材料光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控,為制造太陽能電池、光電探測器提供了新思路。該成果發(fā)表在最新一期國際期刊《先進(jìn)材料》上。
數(shù)十年來,芯片制造商和整個(gè)社會都受益于摩爾定律。摩爾定律以一種快速而可預(yù)測的速度,提供了更強(qiáng)大、更廉價(jià)的計(jì)算能力。眾所周知,這條規(guī)律實(shí)際上是兩種趨勢——芯片速度變快和芯片尺寸縮小。就像上了發(fā)條一樣,晶體管密度每兩年翻一番,計(jì)算能力也相應(yīng)提高。
近日,中國電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長技術(shù)探索,通過改進(jìn)熱場結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長氣氛和晶體生長工藝,有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題,采用導(dǎo)模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。
;;; 1.結(jié)構(gòu);;; 圖3-1是NPN型三極管結(jié)構(gòu)示意圖。三極管由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成,對于NPN型三極管而言,由兩塊N型和一塊P3型半導(dǎo)體組成,P型半導(dǎo)體在中間,兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè),各
英特爾公司近日宣布,已開發(fā)出一種將計(jì)算電路堆疊在一起的方法,希望重新奪回其在芯片制造技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。
晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示,如: D5表示編號為5的二極管。 1、作用:二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?,也就是在正向電壓的作用下,?dǎo)通電阻很??;
很多MCU開發(fā)者對MCU晶體兩邊要各接一個(gè)對地電容的做法表示不理解,因?yàn)檫@個(gè)電容有時(shí)可以去掉。筆 者參考了很多書籍,卻發(fā)現(xiàn)書中講解的很少,提到最多的往往是:對地電容具穩(wěn)
所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽電池,即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s,在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合,由此可
why care負(fù)載電容負(fù)載電容(load capacitance)常用的標(biāo)準(zhǔn)值有12.5 pF,16 pF,20 pF,30pF,負(fù)載電容與石英諧振器一起決定振蕩器的工作頻率,通過調(diào)整負(fù)載電容,一般可以將
英特爾近日迎來知天命之年,對于它來說,這是一個(gè)重要的里程碑。與其他公司相比,英特爾更是芯片的同義語。了解英特爾的人,都應(yīng)當(dāng)知道摩爾定律——過去半個(gè)世紀(jì)以來,它一直推動(dòng)著英特爾不斷向前發(fā)展。