Renesas 推出可克服門限值變化影響的新技術

瑞薩 采用65nm工藝的SRAM

英特爾三門晶體管開啟高能效表現(xiàn)新時代

英特爾透露，英特爾的研究人員開發(fā)出一種新技術，它將在高能效表現(xiàn)方面進一步加強英特爾的領導地位。英特爾對新型的三門（或稱三維）晶體管的研發(fā)已經(jīng)進入到針對量產(chǎn)的研發(fā)階段。由于這些晶體管大大提升了傳統(tǒng)

德儀計劃08年生產(chǎn)新一代芯片 滿足手機要求

本周一，德州儀器公司宣布，為了滿足多媒體和智能手機對計算能力的需求，它計劃在2008年生產(chǎn)速度更快、效率更高的手機用處理器。 德州儀器宣布，它將利用0.045微米工藝生產(chǎn)“單芯片系統(tǒng)”(SoC)微處理器。SoC的性

芯片廠商日子會更加艱難 摩爾定律不再有效

芯片廠商日子會更加艱難 摩爾定律不再有效

英特爾加緊開發(fā)新芯片技術 縮小晶體管體積

英特爾加緊開發(fā)新芯片技術 縮小晶體管體積

瑞薩科技向EMT授權無電容器雙晶體管

加拿大渥太華，5月30日和日本東京，2006年5月31日——全球領先的微控制器廠商瑞薩科技公司（RenesasTechnologyCorp.）與全球領先的嵌入式存儲器知識產(chǎn)權（EmergingMemoryTechnologies（EMT）今天宣布，瑞薩已將無電容

英飛凌65納米手機芯片集成3000萬晶體管

2006年5月17日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司宣布推出第一批采用其先進的65納米CMOS工藝生產(chǎn)的手機芯片。在德國杜伊斯堡、慕尼黑和印度班加羅爾進行的復雜測試表明，該芯片從始至終運行良好。采用該芯片的手機

Zetex新型迷你晶體管

工作良好的單穩(wěn)態(tài)設計基于LVDS接收器

當存在大量的獨立供應商時，設計工作良好的單穩(wěn)態(tài)多頻振蕩器比較容易，即使是設計由5V單電源供電的穩(wěn)態(tài)多頻振蕩器也只算一個中等難度的挑戰(zhàn)。

日本開發(fā)出世界最小最薄的非接觸型IC芯片

日本日立制作所6日宣布，這家公司下屬的中央研究所開發(fā)出了世界上最小、最薄的非接觸型IC芯片，并已成功確認了這種芯片的工作性能。 日立制作所發(fā)布的新聞公報說，該芯片長和寬分別為0.15毫米，厚僅7.5微米。它通過外

英特爾發(fā)布首款45納米芯片 晶體管密度翻倍

據(jù)海外媒體報道，英特爾公司日前宣布制造出首款采用45納米生產(chǎn)工藝的芯片。與65納米工藝相比，最新的45納米技術在晶體管密度上提高了兩倍，達到10億個，開關速度提高了20%，而功耗卻降低三成。 據(jù)悉，英特爾的4