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三維堆疊存儲器（3D NAND）的架構(gòu)演進與工藝挑戰(zhàn)
三維堆疊存儲器(3D NAND)憑借其超越傳統(tǒng)平面NAND的存儲密度和成本優(yōu)勢，成為存儲技術(shù)的核心發(fā)展方向。從2013年三星率先量產(chǎn)24層3D NAND到如今突破300層的技術(shù)節(jié)點，這一領(lǐng)域經(jīng)歷了架構(gòu)創(chuàng)新與工藝突破的雙重變革。然而，堆疊層數(shù)的指數(shù)級增長也帶來了前所未有的制造挑戰(zhàn)，推動行業(yè)在材料、設(shè)備和工藝流程上持續(xù)革新。
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三星第8代V-NAND量產(chǎn)，具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度
（全球TMT2022年11月8日訊）三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子...
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存...
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三星第8代V-NAND量產(chǎn)，采用3D縮放技術(shù)
三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面...
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Toshiba 與 WD 正在研發(fā) 128-Layer 3D TLC 存儲器顆粒
目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當然并不是終點，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長江存儲已經(jīng)宣布了相關(guān)的計劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲器顆粒計劃也泄漏出來了。
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西數(shù)發(fā)布15TB企業(yè)級機械硬盤：SMR技術(shù)，儲存密度提升7%
西數(shù)這次推出的15TB硬盤UltraStar DC HC620系列也是基于SMR技術(shù)的，存儲密度從14TB SMR硬盤的1034Gbits/sq.in(每平方英寸Gbit)提升到了1108Gbits/sq.in，增加了7%左右，因此實現(xiàn)了從14TB到15TB的容量增長。
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日研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體
據(jù)美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界
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AgigA 推出業(yè)界高存儲密度的 DDR3 解決方案
賽普拉斯半導體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失
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索尼研發(fā)大數(shù)據(jù)磁帶，達到185TB存儲量
還記得索尼經(jīng)典磁帶機、磁帶盤嗎？現(xiàn)在，索尼磁帶再次創(chuàng)造記錄。今天，日本索尼公司展示了一種大數(shù)據(jù)備份數(shù)碼磁帶技術(shù)，其磁存儲密度高達148GB/英寸，是標準磁帶密度的74倍，最高達到185TB存儲量。 據(jù)索
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新變存儲器RRAM技術(shù)可極大提高存儲密度
阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器，相比現(xiàn)在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節(jié)能。今天，加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù)，可以在一顆比郵票還小的單芯片中
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新技術(shù)大幅提高機械硬盤的存儲密度
西數(shù)旗下日立環(huán)球存儲的研發(fā)實驗室今天宣布，通過將自組裝分子(self-assembling molecules)、納米壓印(nanoimprinting)兩種技術(shù)的融合，他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲介質(zhì)，其中磁島(magnetic islands)的寬度只有
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技術(shù)太彪悍，硬盤密度將再提升五倍
目前的垂直磁記錄（PWR）技術(shù)預計很快將達到每平方英寸1Tb的物理密度極限。不過不用擔心，科學家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種降低硬盤盤片上磁點間隙，同時又不會讓磁點相互影響的新方法。 這種“直接自我排列”新技
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科學家研發(fā)新技術(shù) 硬盤密度再提五倍
目前的垂直磁記錄(PWR)技術(shù)預計很快將達到每平方英寸1Tb的物理密度極限。不過不用擔心，科學家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種降低硬盤盤片上磁點間隙，同時又不會讓磁點相互影響的新方法。這種“直接自我排列”新技術(shù)可以
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單碟2TB快了：TDK后年量產(chǎn)熱輔助磁頭
硬盤存儲技術(shù)核心廠商日本TDK近日宣布，已經(jīng)在熱輔助記錄(TAMR)技術(shù)上取得重大突破，新的磁頭可將存儲密度翻一番，更大容量的硬盤也近在眼前了。 TDK的新磁頭使用近場光(Near-Field Light)來加熱媒介，
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iSuppli:2016年硬盤存儲密度將達1800Gb/in²
5月24日消息，據(jù)國外媒體報道，市場研究機構(gòu)iSuppli的最新報告指出，硬盤密度已經(jīng)在過去幾年內(nèi)大大增加，未來4年左右可能增加一倍。iSuppli報告顯示，2016年硬盤密度預計將達到最高值1800 Gb/in2，而2011年僅為744 G
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硬盤存儲密度四年內(nèi)翻番 60TB有戲
IHS iSuppli的最新存儲空間市場簡報預測稱，受音頻、視頻等存儲密集型應用的推動，等到2016年的時候，硬盤的面存儲密度將會比現(xiàn)在翻一番還多。相對于固態(tài)硬盤來說，機械硬盤最大的優(yōu)勢就是更大的容量，而這一點會在未
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
英特爾和美光當?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾
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高存儲密度的DDR3解決方案（Agiga）
賽普拉斯半導體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8
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比特與字節(jié)的那些事兒：存儲器的今天和明天
還是小孩子的時候，小編就已經(jīng)擁有了拆電腦的半好人屬性，雖然當時拆下來的東西總有一些裝不回去，但是啟蒙教育來說可是一筆珍貴的財富。如果你現(xiàn)在手頭有一個DVD或者藍光光驅(qū)的話，不妨跟小編一起把它的
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比特與字節(jié)的那些事兒：存儲器的今天和明天
還是小孩子的時候，小編就已經(jīng)擁有了拆電腦的半好人屬性，雖然當時拆下來的東西總有一些裝不回去，但是啟蒙教育來說可是一筆珍貴的財富。如果你現(xiàn)在手頭有一個DVD或者藍光光驅(qū)的話，不妨跟小編一起把它的螺絲一個一個
