納米存儲(chǔ)10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化 將改寫IT產(chǎn)業(yè)

一些大學(xué)的研究人士預(yù)言，很快我們就可能看到存儲(chǔ)技術(shù)上獲得突破，在一個(gè)硬幣大小的面積上存儲(chǔ)250張DVD的內(nèi)容。因?yàn)椴痪们懊绹死永Ｄ醽喆髮W(xué)和馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校的科學(xué)家已經(jīng)找到了一種新的方法，能讓

存儲(chǔ)密度最高的ARM9標(biāo)準(zhǔn)微控制器（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）擴(kuò)大其基于ARM966E-S內(nèi)核的STR91xFA系列微控制器的片內(nèi)閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產(chǎn)品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內(nèi)核的標(biāo)準(zhǔn)微控制器市場上創(chuàng)下存儲(chǔ)密度的最高記錄。

存儲(chǔ)密度最高的ARM9標(biāo)準(zhǔn)微控制器（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）擴(kuò)大其基于ARM966E-S內(nèi)核的STR91xFA系列微控制器的片內(nèi)閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產(chǎn)品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內(nèi)核的標(biāo)準(zhǔn)微控制器市場上創(chuàng)下存儲(chǔ)密度的最高記錄。

日立掌握4TB容量硬盤技術(shù)，2011年將普及

我國超高密度信息存儲(chǔ)再創(chuàng)“世界之最”

不久前，我國科學(xué)家研制出迄今世界上信息存儲(chǔ)密度最高的有機(jī) 材料，將信息存儲(chǔ)點(diǎn)的直徑縮小到了０．６納米，從而在超高密度信息存儲(chǔ)研究上再創(chuàng)“世界之 最”，保持了從１９９６年起就占據(jù)的國際領(lǐng)先地位。