存儲器
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東芝存儲器業(yè)務變故叢生 遲遲不能落下帷幕
夏普(Sharp)決定與鴻海一起參與東芝存儲器(Toshiba Memory)的股權標售案，這是因為日本政府擔心鴻海與大陸官方關系太深，因此鴻海邀請?zhí)O果(Apple)與SoftBank等廠參與合作，現(xiàn)在加上日本的夏普，希望化解日方疑慮。
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存儲器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測業(yè)者表示，估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價格漲勢回穩(wěn)，而進入3D NAND時代后，存儲器封測業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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收購長江存儲 紫光將布局存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈
紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)發(fā)布公告表示，擬以發(fā)行股份的方式收購長江存儲科技控股有限責任公司(下稱“長江存儲”)全部或部分股權。資料
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51單片機程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器
為了保證程序能夠連續(xù)地執(zhí)行下去，CPU必須具有某些手段來確定一條指令的地址。程序計數(shù)器PC正是起到了這種作用，所以通常又稱其為指令地址計數(shù)器。
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瘋啦！內(nèi)存、閃存漲價要一直持續(xù)到2019年！
存儲產(chǎn)品的價格上漲已經(jīng)快一年時間，這節(jié)奏有點類似同期的樓市，不過，不同之處在于，后者有調(diào)控干預，而前者則是完全市場行為。來自Gartner的一份報告稱，就他們掌握的資料來分析，看大是存儲器的降價只會發(fā)生在2019年。
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長江存儲穩(wěn)步發(fā)展 年底提供32層 3D NAND樣品 向64層邁進
根據(jù)中國媒體的報導，有消息人士指出，紫光集團旗下的長江存儲技術公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲器制造技術，而且可能直接進入當今世界最先進的 20/18 納米的制程中。
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NOR Flash漲價將持續(xù)一年 需求旺盛 供貨不足是主因
根據(jù)市場研究機構集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出，受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機數(shù)量大幅增加，以及 TDDI 技術所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動，加上如美光、兆
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缺貨繼續(xù) 存儲還要接著漲價？
雖著近來資料存儲的需求飆升，全球存儲器制造商產(chǎn)能引發(fā)供應瓶頸，正在經(jīng)歷超級周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存儲器價格漲幅接近 50% 到 60%，市場報價還在持續(xù)上揚。這情況也帶動日前連跌落低谷的編碼型快閃存儲器 (NOR Flash) 觸底反彈，漲幅出乎市場預料，且正在加速上漲。
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英特爾推出基于3D XPoint的新型存儲驅(qū)動器
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術生產(chǎn)的第一批存儲器產(chǎn)品，公司希望該技術能夠重塑計算器存儲器市場，并讓自己從科技領域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
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ISSI十年深耕汽車電子存儲器市場
2017年3月13日，在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”，會議現(xiàn)場異?；鸨?，全國各地的工程師匯聚一堂，共同見證汽車電子的過去，共謀汽車電子發(fā)展的未來。其中，ISSI技術市場經(jīng)理田步嚴在會上做
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3D DRAM幫助延長DRAM存儲器的使用壽命
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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擔心對國家安全造成威脅 日本政府或?qū)⒋俪蓶|芝賣給美國企業(yè)
編按：這是第幾篇關于東芝出售的文章了，其核心就是不想把東芝賣給中國，怕技術外流中國，日本政府覺得美國是最適合的出售選擇。國芯當自強呀，希望在未來不長的時間里，中國的高精尖技術能和其他技術強國一樣強大。
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怕存儲器技術流入中國 鴻海收購東芝無望！
日前日本雜志曾報導，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省干部表示，為了避免東芝(Toshiba)半導體技術外流到中國，因此希望東芝半導體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示，東
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華邦電存儲器成功打入德國西門子供應鏈
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲器廠商華邦電，7 日同時公布 2017 年 2 月份營收，也宣布與德國工業(yè)自動化解決方案領導廠商西門子簽署客戶品質(zhì)合約，成為西門子的存儲器供應商。
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NAND Flash市場最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
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東芝 在閃存市場的華麗表演即將落幕
東芝為彌補核能設備事業(yè)大幅減損，終于愿意割愛視為核心的芯片事業(yè)，也象征日本曾經(jīng)雄霸記憶芯片的時代，即將畫下句點。東芝原本只打算出售記憶芯片少數(shù)股價，但在本周公布核能事業(yè)減損63億美元后，東芝社長綱川智改口說，愿意出售主要股權甚至出售整個事業(yè)，以補強東芝的財務。
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存儲器企業(yè)動作不斷，存儲器行業(yè)又到春天？
近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項目取得新進展，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進展。政策支持之下，隨著技術等逐漸成熟，行業(yè)發(fā)展將迎來拐點。在此背景下，上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲芯片業(yè)務。
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兆易創(chuàng)新投資力度加大 我國存儲器順流而上？
當前，伴隨著第五代移動通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展，存儲器的需求量迅速增加，存儲容量、存取速度、功耗、可靠性和使用壽命等指標要求也越來越高。目前，平面型存儲結構在經(jīng)歷了獎金50年的發(fā)展后遭遇巨大挑戰(zhàn)，無法延續(xù)摩爾定律和滿足下一步發(fā)展需求，存儲器的發(fā)展進入轉(zhuǎn)型期。
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主導未來存儲器市場的新型存儲器到底有啥優(yōu)勢
存儲器是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機運行過程中高速、自動的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器是具有記憶功能的設備，它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲信息。
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在邁出了產(chǎn)業(yè)化標志性的一步之后，長江存儲3D NAND有啥突破？
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動下，存儲器芯片已是電子信息領域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權和關鍵技術缺乏的困境，開展大容量存儲技術的研究和相關產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術瓶頸。尋求存儲技術階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。
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