2022年11月21日,第二十屆TOP10 POWER電源產(chǎn)品獎(jiǎng)結(jié)果揭曉,深圳基本半導(dǎo)體有限公司的汽車級(jí)全碳化硅塑封半橋MOSFET模塊Pcell從眾多參評(píng)產(chǎn)品中脫穎而出,榮獲TOP10 POWER自主創(chuàng)新大獎(jiǎng)。
2022年11月21日,第二十屆TOP10 POWER電源產(chǎn)品獎(jiǎng)結(jié)果揭曉,深圳基本半導(dǎo)體有限公司的汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊“Pcore 6”從眾多參評(píng)產(chǎn)品中脫穎而出,榮獲TOP10POWER技術(shù)突破大獎(jiǎng)。
日前,深圳基本半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)在位于日本京都的羅姆總部簽訂車載碳化硅功率器件戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。
2022年9月20日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,由新股東德載厚資本、國(guó)華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,現(xiàn)有股東屹唐長(zhǎng)厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。
?據(jù)悉,廣東省粵科金融集團(tuán)有限公司是廣東省人民政府授權(quán)經(jīng)營(yíng)的國(guó)有企業(yè),是國(guó)內(nèi)最早成立的創(chuàng)投機(jī)構(gòu)之一,也是國(guó)內(nèi)首家省級(jí)科技金融集團(tuán)、全省唯一的省級(jí)綜合性科技金融平臺(tái),成立以來(lái)一直致力為廣東科技創(chuàng)新提供綜合金融服務(wù)。截至2021年底,粵科金融集團(tuán)自主及參股管理基金109支,基金總規(guī)模464.5億元。集團(tuán)累計(jì)為2000多家科技企業(yè)提供投融資服務(wù),推動(dòng)80多家企業(yè)實(shí)現(xiàn)IPO上市。
6月7日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資,由廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè),著力加強(qiáng)在新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場(chǎng)拓展,確保基本半導(dǎo)體在國(guó)產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
當(dāng)前碳化硅的推動(dòng)力需求很足,5G和數(shù)據(jù)激增帶來(lái)了數(shù)據(jù)中心的電源功率密度高度提升的要求;碳中和和新基建推動(dòng)了新能源汽車的市場(chǎng)擴(kuò)大;消費(fèi)端自然地往下走的用戶體驗(yàn)升級(jí),同樣也來(lái)自碳化硅和GaN等新材料功率器件對(duì)于方案功率密度的提升。碳化硅的應(yīng)用前景蔚然廣闊...
2020年12月31日,致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領(lǐng)投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長(zhǎng)厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投,原股東力合資本追加投資。
在5月8日時(shí),深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司(簡(jiǎn)稱廣電計(jì)量)在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作,加快推出車規(guī)級(jí)碳化硅器件,
近日,基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布,標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)。
基本半導(dǎo)體緊跟時(shí)代步伐,采用國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,推出國(guó)內(nèi)首款通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET,助推國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。