選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。

選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。

功率轉(zhuǎn)換及管理的數(shù)字控制

本文將會(huì)廣泛地討論有關(guān)數(shù)字技術(shù)應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換及管理方面的技術(shù)性問題，以迎合市場(chǎng)趨勢(shì)及不同市場(chǎng)領(lǐng)域的需求。我們還會(huì)談到這種技術(shù)相對(duì)于模擬控制的應(yīng)用和挑戰(zhàn)。 　　功率轉(zhuǎn)換屬于功率系統(tǒng) (反饋環(huán)路) 的運(yùn)作，而功

最實(shí)用基本圖解電路24－場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)間繼電器電路

最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對(duì)佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！

雙刀雙擲場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路圖

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場(chǎng)效應(yīng)管放大電路原理及應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路原理及應(yīng)用一、偏置電路 有自生偏置和混合偏置兩種方法，表1電路I利用漏極電ID通過Rs所產(chǎn)生的IdRs作為生偏置電壓，即Ugs=-IdRso可以穩(wěn)定工作點(diǎn)。|IdRs|越大，穩(wěn)定性能越好，但過負(fù)的偏置電壓，會(huì)

巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)

1 引言 長(zhǎng)期以來，直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。 特別隨著計(jì)算機(jī)在控制領(lǐng)域，高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件

基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)

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東芝提出16nm制程工藝

對(duì)于電子產(chǎn)品來說，制程的提升意味著性能、體積和功耗同時(shí)變得更好，所以很多半導(dǎo)體廠商都在制程提升上做出很多努力。近日，東芝提出了16nm制程工藝的方法。目前大多數(shù)存儲(chǔ)芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制

場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)定時(shí)循環(huán)閃光電路圖

場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)定時(shí)循環(huán)閃光電路圖:

采用倍頻器和M0S場(chǎng)效應(yīng)管的振蕩器電路圖

100W場(chǎng)效應(yīng)管功率放大電路

MOSFET功放電路主要應(yīng)用于大功率AV電路中。如圖所示為100W的MOSFET功放電路。該電路的輸入級(jí)采用JEFT輸入型運(yùn)放TL071，其輸入阻抗大、轉(zhuǎn)換速率高。VTl和VT3為運(yùn)放TL071的互補(bǔ)恒流源負(fù)載。VT4和VT5組成典型的推動(dòng)級(jí)，

場(chǎng)效應(yīng)管功率放大電路

如圖所示電路是采用功率MOSFET管構(gòu)成的功率放大器電路。電路中差動(dòng)第二級(jí)采用2SJ77***率MOSFET，電流鏡像電路采用2SK214。其工作電流為6mA，但電源電壓較高(為±50V)，晶體管會(huì)發(fā)熱，因此要接人小型散熱器。 functi

場(chǎng)效應(yīng)管80W音頻功率放大電路

場(chǎng)效應(yīng)管50W音頻功率放大電路

新型抑制浪涌電流電路的設(shè)計(jì)

提出了一種新型抑制浪涌電流電路，給出了實(shí)際設(shè)計(jì)方案。

Cymbal型復(fù)合壓電作動(dòng)器微進(jìn)給技術(shù)研究

針對(duì)普通壓電作動(dòng)器行程較短的缺點(diǎn)，提出一種具有Cymbal結(jié)構(gòu)的復(fù)合壓電陶瓷作動(dòng)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。