2018年11月7-8日,第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開,由泰克公司攜手復(fù)旦大學(xué),聯(lián)合南京大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、中國科學(xué)院納米中心共同舉辦。本屆會議旨在加強(qiáng)全國各相關(guān)領(lǐng)域研究隊伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會,推動我國先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展,促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。
2018年11月7-8日,第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開,本屆會議旨在加強(qiáng)全國各相關(guān)領(lǐng)域研究隊伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會,推動我國先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展,促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機(jī)車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,被業(yè)界一直看好。
據(jù)臺灣媒體報道,漲價缺貨的野火如今已擴(kuò)散到CMOS圖像感測元件上,今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價,有錢也拿不到貨,前車之鑒,讓代理商及客戶端一聽到缺貨就害怕,而這一波CMOS供貨吃緊,就是在這樣的氛圍下醞釀成形,且有跡可尋,早在今年第2季,中國大陸高端鏡頭馬達(dá)就已傳出供貨吃緊情況。
近日,在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。
受惠于臺積電等晶圓代工廠持續(xù)沖刺先進(jìn)制程,代理半導(dǎo)體設(shè)備和硅晶圓的崇越科技(5434)今年首季合并營收已創(chuàng)64.46億元單季新高,崇本季在半導(dǎo)體、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)材料出貨持續(xù)增加下,有望再拼新高。
3月14日至16日,2018慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展在上海新國際博覽中心如期舉辦。慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展是中國電子制造行業(yè)領(lǐng)軍展會,旨在聚焦精密電子生產(chǎn)設(shè)備和制造組裝服務(wù),展示電子制造核心科技。全球領(lǐng)先的材
據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,全球半導(dǎo)體行業(yè)2017年的銷售總額達(dá)到了4122億美元,這是該行業(yè)有史以來的最高銷售額。對比2016年數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2016年營收達(dá)到3389億美元,同比增長了21.6%,創(chuàng)下有史以
日前,由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學(xué)會議在蘇州舉行,來自國內(nèi)外的40多位專家學(xué)者參會。本次大會的主題為“化合物半導(dǎo)體器件的異質(zhì)集成與界面調(diào)控”,中科院院士李樹深、黃如、中科院蘇州納米所所長楊輝、香港大學(xué)教授謝茂海擔(dān)任本次大會的執(zhí)行主席。
“到2030年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè),部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng),核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產(chǎn)化率超過70%?!边@是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
“到2030年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè),部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng),核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè),國產(chǎn)化率超過70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
照明技術(shù)的迅猛發(fā)展使得該領(lǐng)域有更廣的拓展與實踐,半導(dǎo)體照明一直是照明技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域。
半導(dǎo)體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ),半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為主導(dǎo),目前,95%的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都是硅材料制作。
藍(lán)光LED(發(fā)光二極管)的技術(shù)專利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專利壟斷的最佳領(lǐng)域。另外,紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢,擁有廣闊的應(yīng)用前景。
繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后,第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速
近十年來,全世界對石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。近期,一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦 (InSe),它只有幾原子厚,十分接近石墨烯。本月,曼
近十年來,全世界對石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。近期,一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe),它只有幾原子厚,十分接近石墨烯。本月,曼
英國《自然·納米技術(shù)》雜志11日在線發(fā)表論文稱,科學(xué)家們利用飛秒技術(shù)首次成功拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子狀態(tài)變化。該成果將提供對半導(dǎo)體核心器件前所未有的洞察。自
有機(jī)半導(dǎo)體材料今日已成功應(yīng)用于太陽能電池和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。然而,迄今為止摻雜分子是如何整合到有機(jī)半導(dǎo)體化學(xué)結(jié)構(gòu)還鮮為人知。