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英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管，推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程
【2025年2月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類(lèi)型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
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空中客車(chē)公司和意法半導(dǎo)體合作研發(fā)功率電子器件，助力飛行電動(dòng)化
2023年6月30日，中國(guó)– 全球航空航天業(yè)先驅(qū)空中客車(chē)公司(Airbus，以下簡(jiǎn)稱空客)和服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，以下簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)最近簽署了一項(xiàng)功率電子技術(shù)研發(fā)合作協(xié)議，以促進(jìn)功率電子器件更高效、更輕量化，這對(duì)于未來(lái)的混動(dòng)飛機(jī)和純電動(dòng)城市飛行器發(fā)展至關(guān)重要。
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新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
如果詢問(wèn)任何功率電子器件設(shè)計(jì)師他們追求什么，轉(zhuǎn)換效率通常都會(huì)名列前茅。高效率不僅能節(jié)能，還有附帶好處，即打造更小、更輕、更便宜的產(chǎn)品，而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實(shí)際上有些應(yīng)用受益匪淺，如電動(dòng)車(chē)，它的單次充電行駛里程會(huì)有所提高，還有數(shù)據(jù)中心，其中的電子器件和必要空調(diào)的能耗是一大問(wèn)題，目前占全球能源需求的1%以上。
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「建議收藏」功率電子器件界面熱阻和接觸熱阻是如何測(cè)量的?
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子芯片不斷的趨向于小型化、集成化，熱量通常被認(rèn)為是電子系統(tǒng)前進(jìn)發(fā)展的限制性因素，在電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)領(lǐng)域，熱量的積累，溫度上升過(guò)高對(duì)器件的壽命和可靠性都會(huì)產(chǎn)生非常不利的影響。
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功率電子器件應(yīng)用要求以及概述
盡管電力電子器件發(fā)展過(guò)程遠(yuǎn)比我們現(xiàn)在描述的復(fù)雜，但是MOSFET和IGBT，特別是IGBT已經(jīng)成為現(xiàn)代功率電子器件的主流。
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