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數字控制技術在功率密度和電源管理上的應用
在一個電源系統中有許多地方可以采用數字技術，一個是電源內部電路本身，還有就是在系統級實現功率管理和監(jiān)控功能[4]。本文將針對第一種情況進行詳細討論。文中比較了板
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低噪聲開關電源變壓器的設計方法
在開關電源設計中，功率變壓器的設計極為關鍵，尤其是工作頻率提高后，要達到電源的功率密度盡量高，同時要滿足較好的EMC指標有一定的難度。下面介紹一種變壓器設計方法，可
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如何解決功率密度問題
集成是固態(tài)電子產品的基礎，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。
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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導通電阻為業(yè)內最低，僅有0.58mΩ。V
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用GaN重新考慮功率密度
電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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TDK發(fā)布效率高達93%的480W高功率密度導軌電源
TDK 公司宣布推出 TDK-Lambda 的 DRB 系列新增型號 DRB480-24-1 導軌電源。DR B480-24-1 的額定功率為 480W，功率密度高達 6 W/inch3，且擁有極窄的寬度，易于 安裝在狹小的空間內。另外，DRB480-24-1 的平均效率高于
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解讀：為何你的電動汽車跑不遠？
電動汽車當前發(fā)展迅猛，但其續(xù)航能力一直都是用戶心里的一根刺，關于電動汽車續(xù)航，這里就不老生常談電池了，而是談談關于動力總成的效率問題。電動汽車當前發(fā)展迅猛，但其
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Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現代電源的效率和功率密度設計需要，設計工程師一直在尋找GaN技術等可替代傳統MOS技術
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電源設計來響應需求更大的功率密度
那些服用超過電源供應器休閑利息(事業(yè)單位)，無論是AC / DC或DC / DC，會注意到，集成化和小型化一直在一個大的影響最近。為什么是這樣?這簡短的回顧回顧了一些最后一年的有
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1/4磚提高標準的功率密度，效率
眾所周知，中間總線架構(IBA)在現代服務器，工作站和電信設備共同被通過各種隔離的DC / DC轉換器稱為磚塊啟用。通過提供較低的直流母線電壓，這些磚讓系統設計人員能夠快速
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Vicor：以創(chuàng)新與實力引領方向
“Vicor領先行業(yè)其他競爭對手至少10年以上，值得尊敬!”這是一位國內非常知名的通訊企業(yè)電源工程師對Vicor的評價。乍一聽這樣的評價，難免有人覺得是夸大其詞，但是深入了解Vicor的人都知道，這樣的評價并
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提高電源功率密度的主要方向有哪些？
摘要：隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術發(fā)展的方向。那么，電源的小型化
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提高電源功率密度的主要方向
隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術發(fā)展的方向。那么，電源的小型化主要由哪些因素決定呢?
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雅特生科技推出新一代可配置電源 效率與功率密度都極高！
21ic電源網訊 雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布推出MicroMP(µMP)可配置電源系列的第二代產品。雅特生科技的µMP電源產品系列一直大受市場歡迎
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Diodes穩(wěn)壓器晶體管提升48V電路系統功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為針對網絡、電信和以太網供電 (Power over Ethernet，簡稱PoE) 設備內48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR20
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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DF
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IBM締造未來芯片冷卻技術，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！
【導讀】IBM締造未來芯片冷卻技術，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！ 由于具有100W/cm2的功率密度，今天的計算機芯片溫度已經是標準的加熱板的10倍。因此，硅電路的冷卻就成為日益重要的問題。未來的芯片將達到更
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內領先的功率密度、效率和熱性能
ISL8240M以2.9 cm2占位面積提供高達40A輸出電流和100W輸出功率，是基礎設施和云計算硬件應用的理想選擇21ic訊 Intersil公司今天宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8
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Intersil推出提供功率密度效率和熱性能的電源模塊
Intersil公司宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8240M，為基礎設施和嵌入式計算應用的效率和功率密度設定了新的標準。ISL8240M的占位面積只有2.9 cm2，卻能提供高達100W輸出功率、大于90%的轉換效率以及業(yè)內領
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內領先的功率密度、效率和熱性能
[導讀] 與Intersil的所有電源模塊一樣，ISL8240M也是一種全集成的交鑰匙解決方案，僅有17mm x 17mm大小，且只需要6個外圍被動器件。卓越的熱性能使其不需要散熱器，有助于進一步簡化電源設計，以及降低設計與制造風險
