新的汽車動力轉向設計現(xiàn)在要求雙冗余電路，這意味著要在相同空間內(nèi)容納雙倍的元器件。再舉一個例子，在服務器群中，每平方米都要耗費一定成本，用戶通常每18個月要求相同電源封裝中的輸出功率翻倍。如果分立式半導體供應商要應對這一挑戰(zhàn)，不能僅專注于改進晶圓技術，還必須努力提升封裝性能。

總部位于荷蘭的安世半導體是分立器件、MOSFET器件、模擬和邏輯集成電路領域的領導者，該公司率先在-功率封裝(LFPAK無損封裝)內(nèi)部采用了全銅夾片芯片貼裝技術，目的是實現(xiàn)多種技術優(yōu)勢(電流能力、RDSon、熱特性等)。

專為提高功率密度設計的LFPAK封裝系列

LFPAK封裝系列用于提高功率密度。其主要特點是在封裝內(nèi)部使用了全銅夾片，在外部使用了鷗翼引腳。安世半導體在2002年率先推出LFPAK56封裝 - 它是一款功率SO8封裝(5mm x 6mm)，設計用于替代體積更大的DPAK封裝?，F(xiàn)在，該公司提供了一系列不同尺寸的封裝，包含單雙通道MOSFET配置，可涵蓋眾多不同應用。最近，安世半導體發(fā)布了LFPAK88，這是一款8mm x 8mm封裝，針對較高功率的應用而設計，可取代體積更大的D²PAK和D²PAK-7封裝。

圖1：LFPAK分立式MOSFET封裝系列

夾片粘合封裝與焊線封裝：功率密度優(yōu)勢

LFPAK器件的體積小于老式D²PAK和D²PAK-7器件，同時實現(xiàn)了功率密度的明顯提升。顯示了LFPAK88的相對占位面積大小，與D²PAK器件相比減小了60%;另外LFPAK88器件的高度更低，因而總體積減小了86%。

LFPAK88之所以能夠實現(xiàn)性能和功率密度的提升，是因為它采用了銅夾片封裝技術，取代了D²PAK和D²PAK7等封裝采用的老式焊線技術。