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張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進
臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術會議上表示，臺積電將會和整個半導體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進軍。 張忠謀認為，2011-2014年間的全球半導體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之
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張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進
臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術會議上表示，臺積電將會和整個半導體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進軍。張忠謀認為，2011-2014年間的全球半導體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之一
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臺積電跳過22nm，直接從28nm到20nm
半導體廠商臺積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會上，再度做出了驚人的壯舉，跳過22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。 臺積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉換將會帶來極高的柵密度以及優(yōu)于
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術?！ ? DDR2 還不算過時，而且未來一
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內
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中國物聯(lián)網(wǎng)應技術應暫緩應用
編者語：物聯(lián)網(wǎng)至2009年下半年以來已成人們熱議的話題，與此相關的企業(yè)及涉及到的另一些產(chǎn)業(yè)開始謀劃及全方位行動，筆者認為，在當前情況下，大力加強技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化才是中國現(xiàn)階段發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)的優(yōu)先之事，應當集中
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臺積電將升級上海工廠的制造工藝
繼臺灣政府稍早宣布放寬面板與半導體公司對大陸的投資限制之后﹐臺灣集成電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 簡稱﹕臺積電)發(fā)言人曾晉皓周三稱﹐公司將升級上海工廠的制造工藝技術。
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凸版印刷試制出低溫狀態(tài)涂布型薄膜晶體管
凸版印刷采用透明非結晶氧化物半導體，試制出了將制造工藝控制在低溫狀態(tài)的涂布型薄膜晶體管“Thin Film Transistor（TFT）”，并成功地驅動了電泳方式的可彎曲顯示器（E-ink電子紙）。該顯示器通過印刷法
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DDR3注定要奪取DRAM王座
2009年即將結束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 DDR2還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它
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32nm制造工藝到底有多小 Intel來告訴你
2010年1月7日，Intel將會借著CES 2010大展的機會正式發(fā)布首批32nm工藝處理器，包括桌面版Clarkdale和移動版Arrandale。關于32nm，我們一般只知道它是個非常小的尺度，那么到底有多小呢?1、“nm”中文名納米
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ADI完成制造工藝技術的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造工藝技術的升級和改進，目的是降低成本，提高晶圓制造效率。美國馬薩諸塞州威明頓工廠的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位
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0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用
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摩爾定律將于2014年失效，成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。 iSuppli認為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。 iSuppli半導體制造領域首席分析師蘭
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分析稱摩爾定律將于2014年失效 苦于成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。iSuppli認為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。iSuppli半導體制造領域首席分析師蘭&
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iSuppli:摩爾定律將于2014年失效 成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。 iSuppli認為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。 iSuppli半導體制造領域首席分析師蘭
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世界首個商用硅基CMOS光子半導體制造工藝投產(chǎn)
世界領先的硅基CMOS光子集成廠商Luxtera今天宣布,經(jīng)過與飛思卡爾半導體公司多年的密切合作，利用后者的制造資源，實現(xiàn)了世界首個商用級硅基CMOS光子半導體制造工藝的投產(chǎn)。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
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臺積電承認40nm工藝遭遇障礙 明年上28nm
在公布最新季度財報的同時，臺積電也第一次公開承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻了大約1％的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會達到2％
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