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張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會議上表示，臺積電將會和整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。 張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之
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張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會議上表示，臺積電將會和整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之一
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臺積電跳過22nm，直接從28nm到20nm
半導(dǎo)體廠商臺積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會上，再度做出了驚人的壯舉，跳過22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。 臺積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉(zhuǎn)換將會帶來極高的柵密度以及優(yōu)于
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?！ ? DDR2 還不算過時，而且未來一
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)
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中國物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)技術(shù)應(yīng)暫緩應(yīng)用
編者語：物聯(lián)網(wǎng)至2009年下半年以來已成人們熱議的話題，與此相關(guān)的企業(yè)及涉及到的另一些產(chǎn)業(yè)開始謀劃及全方位行動，筆者認(rèn)為，在當(dāng)前情況下，大力加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化才是中國現(xiàn)階段發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)的優(yōu)先之事，應(yīng)當(dāng)集中
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臺積電將升級上海工廠的制造工藝
繼臺灣政府稍早宣布放寬面板與半導(dǎo)體公司對大陸的投資限制之后﹐臺灣集成電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 簡稱﹕臺積電)發(fā)言人曾晉皓周三稱﹐公司將升級上海工廠的制造工藝技術(shù)。
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凸版印刷試制出低溫狀態(tài)涂布型薄膜晶體管
凸版印刷采用透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體，試制出了將制造工藝控制在低溫狀態(tài)的涂布型薄膜晶體管“Thin Film Transistor（TFT）”，并成功地驅(qū)動了電泳方式的可彎曲顯示器（E-ink電子紙）。該顯示器通過印刷法
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DDR3注定要奪取DRAM王座
2009年即將結(jié)束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它
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32nm制造工藝到底有多小 Intel來告訴你
2010年1月7日，Intel將會借著CES 2010大展的機(jī)會正式發(fā)布首批32nm工藝處理器，包括桌面版Clarkdale和移動版Arrandale。關(guān)于32nm，我們一般只知道它是個非常小的尺度，那么到底有多小呢?1、“nm”中文名納米
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ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是降低成本，提高晶圓制造效率。美國馬薩諸塞州威明頓工廠的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位
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0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用
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摩爾定律將于2014年失效，成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調(diào)研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。 iSuppli認(rèn)為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。 iSuppli半導(dǎo)體制造領(lǐng)域首席分析師蘭
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分析稱摩爾定律將于2014年失效 苦于成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調(diào)研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。iSuppli認(rèn)為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。iSuppli半導(dǎo)體制造領(lǐng)域首席分析師蘭&
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iSuppli:摩爾定律將于2014年失效 成本太高
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道， 調(diào)研公司iSuppli周二在一份報告中稱，摩爾定律將于2014年失效。 iSuppli認(rèn)為，摩爾定律失效的原因不是制造工藝跟不上，而是屆時芯片制造成本過高。 iSuppli半導(dǎo)體制造領(lǐng)域首席分析師蘭
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世界首個商用硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝投產(chǎn)
世界領(lǐng)先的硅基CMOS光子集成廠商Luxtera今天宣布,經(jīng)過與飛思卡爾半導(dǎo)體公司多年的密切合作，利用后者的制造資源，實(shí)現(xiàn)了世界首個商用級硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝的投產(chǎn)。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
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臺積電承認(rèn)40nm工藝遭遇障礙 明年上28nm
在公布最新季度財報的同時，臺積電也第一次公開承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺積電在去年底基本準(zhǔn)時地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1％的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計今年第二季度會達(dá)到2％
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