“全能生”三星的中國(guó)3G考題在號(hào)稱天下第一雄關(guān)的居庸關(guān)長(zhǎng)城之上,以一段中國(guó)的劍舞作為3G新戰(zhàn)略的開場(chǎng)。7月30日,三星正式發(fā)布新的中國(guó)3G戰(zhàn)略——“3G for all”,三星中國(guó)總裁樸根熙
7月28日訊,友達(dá)集團(tuán)為旗下隆達(dá)電子砸下25.55億新臺(tái)幣,擴(kuò)產(chǎn)LED芯片設(shè)備,今年一口氣裝設(shè)15臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái)。隆達(dá)將成為友達(dá)LED芯片的主力供應(yīng)商;不過(guò)因南韓三星等也加快裝設(shè)機(jī)臺(tái)腳步,隨面板廠大舉投入,恐會(huì)沖擊臺(tái)灣芯
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴,稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利,要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯
7月29日消息,隨著中國(guó)移動(dòng)福建公司G3定制心機(jī)近日的上市,09年中國(guó)移動(dòng)G3定制心機(jī)的神秘面紗也因此揭開,5款中國(guó)移動(dòng)深度定制的TD手機(jī)已經(jīng)浮現(xiàn),而為此提出的話費(fèi)補(bǔ)貼政策接近于“0元購(gòu)TD手機(jī)”。09定制心
NAND Flash閃存芯片在半導(dǎo)體領(lǐng)域中起著至關(guān)重要的作用。其實(shí)Flash閃存芯片之前可分為NOR Flash及NAND Flash兩類。NAND Flash和NOR Flash是兩種不同的閃存規(guī)格,不過(guò)境遇卻迥然不同,前者應(yīng)用日益廣泛,后者的生存環(huán)境
美國(guó)北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝,研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”,并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項(xiàng)發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜
臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”日前宣布“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”,即日起以三個(gè)月為期受理申請(qǐng)政府參與投資。令人關(guān)注的是,原先受經(jīng)濟(jì)部相中、賦予產(chǎn)業(yè)重整重責(zé)大任的“真命天子”TMC公司,如今已經(jīng)貶為“庶人”,須與其它DRAM制造廠平起
隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品,應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程,不但制程技術(shù)領(lǐng)先,近期英特爾和美光在價(jià)格策略上,更是上演絕地大反攻計(jì)畫
從什么時(shí)候開始,熟悉的國(guó)內(nèi)品牌漸漸淡出了我們的視線?當(dāng)小護(hù)士、娃哈哈、樂(lè)凱膠卷、雙匯這些耳熟能詳?shù)拿致某蔀橐环N記憶的時(shí)候,我們發(fā)現(xiàn),外國(guó)企業(yè)的并購(gòu)風(fēng)潮刮的愈來(lái)愈猛烈了。而被并購(gòu)的民族品牌都逃不脫
三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲(chǔ)器先進(jìn)制程,對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來(lái)說(shuō),又將面臨一次嚴(yán)峻的考驗(yàn)。 DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來(lái)看,很難靠一己之力對(duì)外籌資。也因此,包括韓國(guó)、日本等國(guó)政府
北京時(shí)間7月19日消息(李明)據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,摩托羅拉任命前三星通訊高管威廉·奧格里(William Ogle)為移動(dòng)終端事業(yè)部首席營(yíng)銷官。奧格里將擔(dān)負(fù)起公司全面的市場(chǎng)營(yíng)銷責(zé)任,引領(lǐng)摩托羅拉移動(dòng)終端設(shè)備的市場(chǎng)