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  • 電壓調(diào)節(jié)器的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測試，第二部分

    圖 8中的電路大大簡化了先前電路的環(huán)路動(dòng)態(tài)，并消除了所有交流微調(diào)。主要的權(quán)衡是速度減半。該電路類似于圖 6中的電路，不同之處在于 Q 1是雙極晶體管。雙極型大大降低的輸入電容允許 A 1驅(qū)動(dòng)更良性的負(fù)載。這種方法允許您使用具有較低輸出電流的放大器，并消除了適應(yīng)圖 6的 FET 柵極電容所需的動(dòng)態(tài)調(diào)整。唯一的調(diào)整是 1-mV 調(diào)整，您按照描述完成。

  • 電壓調(diào)節(jié)器的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測試，第一部分

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、讀卡器、微處理器、磁盤驅(qū)動(dòng)器、壓電設(shè)備和數(shù)字系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生電壓調(diào)節(jié)器必須服務(wù)的瞬態(tài)負(fù)載。理想情況下，穩(wěn)壓器輸出在負(fù)載瞬態(tài)期間是不變的。然而，在實(shí)踐中，會(huì)發(fā)生一些變化，如果系統(tǒng)超出其允許的工作電壓容差，這種變化就會(huì)成為問題。這個(gè)問題要求測試穩(wěn)壓器及其相關(guān)的支持組件，以驗(yàn)證在瞬態(tài)負(fù)載條件下所需的性能。您可以使用各種方法來生成瞬態(tài)負(fù)載并允許觀察調(diào)節(jié)器響應(yīng)。

  • 低靜態(tài)電流 PMIC 有助于延長電池壽命

    當(dāng)今電子設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一是降低能耗。電源管理是許多設(shè)備的重要設(shè)計(jì)考慮因素，尤其是那些依賴電池運(yùn)行的設(shè)備。因此，大多數(shù)系統(tǒng)使用各種電源管理操作模式。

    線性電源
    2022-10-12
    電源 PMIC

  • 超低靜態(tài)電流電源芯片提供更長的電池壽命

    當(dāng)今電子設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一是降低能耗。電源管理是許多設(shè)備的重要設(shè)計(jì)考慮因素，尤其是那些依賴電池運(yùn)行的設(shè)備。因此，大多數(shù)系統(tǒng)使用各種電源管理操作模式。

  • CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第二部分

    眾所周知，當(dāng) V GS 在增強(qiáng)模式下為正時(shí)，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強(qiáng)型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時(shí)的漏電流 I DSS量。增強(qiáng)型 MOSFET 在柵極未通電時(shí)不應(yīng)泄漏任何電流，因此當(dāng) V GS = 0V 時(shí) I DSS必須 為 0，但當(dāng) V GS = 0V 時(shí)允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導(dǎo)通道 。

  • CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分

    傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只有三個(gè)端子當(dāng)柵極控制電壓在電源和地之間變化時(shí)，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時(shí)起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第二部分

    目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計(jì)的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠(yuǎn)不止兩個(gè)，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我的第一家公司，級(jí)聯(lián) GaN 實(shí)際上是第一個(gè)誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級(jí)聯(lián)的 GaN 解決方案時(shí)，我就在那里。

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

    氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力，因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄А⒏〉某叽?、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動(dòng)下一步的改進(jìn)。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第四部分

    目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點(diǎn)將放在開發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為，未來未來，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場的很大一部分，很大一部分，可以說是電動(dòng)汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對于實(shí)現(xiàn)這些市場滲透尤為重要。那么，高價(jià)格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個(gè)市場未來降低價(jià)格?

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第二部分

    如我們所知，目前增長最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車提供模塊的長期合同。

  • 分析SiC器件的成本競爭力，第一部分

    在多個(gè)能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴(kuò)展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個(gè)能源行業(yè)擴(kuò)展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學(xué) SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。

  • 了解傳導(dǎo)產(chǎn)生的EMI電磁干擾問題

    電磁干擾是我們生活的一部分。許多人認(rèn)為電子產(chǎn)品的普及是一件好事，因?yàn)樗鼈兲岣吡宋覀兊氖孢m度、安全性和健康度。這些產(chǎn)品還帶來了潛在的電子有害 EMI 信號(hào)。EMI 信號(hào)可以來自各種來源，包括我們周圍常見的電子設(shè)備，以及車輛和重型設(shè)備。在汽車設(shè)計(jì)中，其中一些 EMI 發(fā)生器與車輛的敏感電子電路位于同一個(gè)機(jī)柜中。這種接近會(huì)影響音響設(shè)備、自動(dòng)門控制和其他設(shè)備。

  • GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

    在過去的幾年里，我們道路上的電動(dòng)汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加，給設(shè)計(jì)人員帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎(chǔ)設(shè)施和縮短充電時(shí)間。

  • 面向設(shè)計(jì)師的 datasheets.com

    本教程將介紹https://www.datasheets.com的主要功能，這是一個(gè)詳盡的任何電子元件的數(shù)據(jù)表和技術(shù)文檔集合。任何電子設(shè)計(jì)師、工程師或簡單的愛好者都會(huì)發(fā)現(xiàn)這是一個(gè)非常有用的資源。該網(wǎng)站提供先進(jìn)的研究工具等等。

  • 封裝、集成和快速切換：已經(jīng)取得了什么成就，下一步發(fā)展是什么？

    今天，由于該領(lǐng)域眾多公司的研究，功率器件已達(dá)到極高的效率水平。優(yōu)異的成績是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用，它們結(jié)合在一起，可以達(dá)到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實(shí)現(xiàn)非常高的效率，尤其是在高開關(guān)速度下，從而積極利用所有可用功率。

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