所以,我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此,我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或?yàn)楦吖β手谱鞣浅5偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì),它可以擴(kuò)展到低電壓,但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。
如今,無(wú)論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場(chǎng),各個(gè)電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時(shí)工作時(shí),總會(huì)在它周?chē)a(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場(chǎng),比如電視發(fā)射臺(tái)、固定或移動(dòng)式無(wú)線(xiàn)電發(fā)射臺(tái)以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。
羅德與施瓦茨宣布進(jìn)入源測(cè)量單元 (SMU) 市場(chǎng),推出兩款新儀器,用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用和半導(dǎo)體元件測(cè)試的電池壽命測(cè)試。
汽車(chē)電氣化正在興起,隨著世界各國(guó)政府試圖實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo),它可能會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。本文摘錄了與恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬業(yè)務(wù)線(xiàn)總經(jīng)理 Jens Hinrichsen 就汽車(chē)電氣化的各個(gè)方面的對(duì)話(huà)——從技術(shù)方面,包括電池管理,到增長(zhǎng)的挑戰(zhàn),包括解決范圍焦慮等因素,這是一種常見(jiàn)的消費(fèi)者猶豫。
我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了碳化硅。因此,這些天來(lái),我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車(chē)。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?
穴居人發(fā)現(xiàn)了火,而人類(lèi)通過(guò)發(fā)明來(lái)進(jìn)化這一發(fā)現(xiàn),為我們照亮道路、烹飪食物并讓我們保持溫暖。但現(xiàn)在,我們都同意我們需要改變我們對(duì)能源的看法:它是如何產(chǎn)生、使用的,如何提高效率。近幾十年來(lái),許多進(jìn)步包括來(lái)自可再生能源的清潔能源、以前依賴(lài)燃燒燃料的事物的電氣化以及對(duì)能源效率的關(guān)注。隨著我們向萬(wàn)物電氣化邁進(jìn),人類(lèi)與火的這種親密關(guān)系將會(huì)消失,因?yàn)槲磥?lái)人類(lèi)將看不到明火。這是一個(gè)相當(dāng)大的偏離!當(dāng)前這一代工程師將不再需要火。
我們會(huì)在不久的將來(lái)看到鎵的高壓應(yīng)用嗎?或者我們可以在哪里做一些事情,比如通過(guò)氮化鎵芯片運(yùn)行列車(chē)級(jí)電壓?
功率半導(dǎo)體的第二次革命五年后,基于氮化鎵 (GaN)的移動(dòng)快速充電器主宰了旗艦智能手機(jī)和筆記本電腦型號(hào),從傳統(tǒng)功率硅芯片中搶占了市場(chǎng)份額。這種下一代“寬帶隙”技術(shù)正在逐步進(jìn)入主流移動(dòng)應(yīng)用程序,同時(shí)從該灘頭市場(chǎng)突圍,進(jìn)入更高功率的消費(fèi)者、太陽(yáng)能、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)。一個(gè)新的電源平臺(tái)——集成的、功能豐富的、高效的 GaNSense?“半橋”——是高功率、高速應(yīng)用的基本組成部分,其中 GaN 不僅提供更小、更快速的充電和降低系統(tǒng)成本的應(yīng)用,而且還可以節(jié)省大約 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。
車(chē)輛電氣化是減少道路交通溫室氣體排放計(jì)劃的關(guān)鍵部分。與傳統(tǒng)的硅替代品相比,寬帶隙半導(dǎo)體具有多種優(yōu)勢(shì),因此可以改進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)。在這個(gè)與 FTEX 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Alexandre Cosneau 的討論中,我們將發(fā)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力總成技術(shù)和 GaN 的優(yōu)勢(shì)。Cosneau 正在尋找優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換的方法,從電池設(shè)計(jì)到電機(jī)效率,這對(duì) FTEX 技術(shù)和解決方案至關(guān)重要。
螺線(xiàn)管是機(jī)電致動(dòng)器,具有稱(chēng)為柱塞的自由移動(dòng)磁芯。通常,螺線(xiàn)管由螺旋形線(xiàn)圈和鐵制成的動(dòng)鐵芯組成。 當(dāng)電流通過(guò)螺線(xiàn)管線(xiàn)圈時(shí),它會(huì)在其內(nèi)部產(chǎn)生磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)產(chǎn)生拉入柱塞的力。當(dāng)磁場(chǎng)產(chǎn)生足夠的力來(lái)拉動(dòng)柱塞時(shí),它會(huì)在螺線(xiàn)管內(nèi)移動(dòng),直到達(dá)到機(jī)械停止位置。當(dāng)柱塞已經(jīng)在螺線(xiàn)管內(nèi)時(shí),磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生力將柱塞固定到位。當(dāng)電流從螺線(xiàn)管線(xiàn)圈中移除時(shí),柱塞將在螺線(xiàn)管中安裝的彈簧推動(dòng)下返回其原始位置。
移動(dòng)電話(huà)和平板電腦等便攜式設(shè)備需要電源管理技術(shù)來(lái)滿(mǎn)足日益具有挑戰(zhàn)性的性能要求。消費(fèi)者正在以新的方式使用智能手機(jī):他們希望顯示高清 GPS 視頻和地圖;進(jìn)行雙向視頻通話(huà);玩更吸引人的游戲;和流音樂(lè)。此類(lèi)應(yīng)用的片上系統(tǒng) (SoC) 項(xiàng)目還必須符合嚴(yán)格的散熱目標(biāo),同時(shí)滿(mǎn)足長(zhǎng)電池壽命要求。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的 IC。此外,也用于放大器和濾波器等模擬電路。MOSFET的設(shè)計(jì)主要是為了克服FET的缺點(diǎn),例如高漏極電阻、中等輸入阻抗和運(yùn)行緩慢。MOSFET有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。本文主要介紹耗盡型MOSFET,以及它的使用場(chǎng)景。
在大功率 CPU 的電源應(yīng)用中,我們?nèi)绾谓鉀Q負(fù)載瞬態(tài)調(diào)整的耗時(shí)問(wèn)題 在 DC-DC 電壓轉(zhuǎn)換器中,最具挑戰(zhàn)性的電源軌之一是 CPU。CPU 的電流瞬變具有非常高的電流階躍和高轉(zhuǎn)換率。CPU 電源軌還需要總和高達(dá)數(shù) mF(通常約為 4mF)的輸出電容器,這增加了解決方案的尺寸和成本。
沒(méi)有一些專(zhuān)門(mén)設(shè)備的情況下,測(cè)試和測(cè)量 IC 或電路在電源瞬態(tài)方面的性能是一項(xiàng)棘手的任務(wù)。輸入電壓源不僅需要以受控方式改變,而且還必須能夠提供足夠的電流來(lái)調(diào)節(jié)輸入電容并為被測(cè)電路供電。
該穩(wěn)壓器在其輸入 (C IN ) 和輸出 (C OUT )處使用電容器來(lái)增強(qiáng)其高頻響應(yīng)。您應(yīng)該仔細(xì)考慮電容器的電介質(zhì)、值和位置,因?yàn)樗鼈儠?huì)極大地影響穩(wěn)壓器特性。C OUT主導(dǎo)調(diào)節(jié)器的動(dòng)態(tài)響應(yīng);C IN的重要性要小得多,只要它不低于穩(wěn)壓器的壓降點(diǎn)即可。