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  • 設(shè)計(jì)合適的電池管理系統(tǒng)，可以使電池平衡以延長(zhǎng)電池的使用壽命

    為大型系統(tǒng)(例如電動(dòng)自行車或儲(chǔ)能)供電的電池組由許多串聯(lián)和并聯(lián)的電池組成。每個(gè)電池在理論上都是相同的，但由于制造公差和化學(xué)差異，每個(gè)電池的行為通常略有不同。隨著時(shí)間的推移，由于不同的操作條件和老化，這些差異變得更加顯著，通過(guò)限制其可用容量或潛在地?fù)p壞電池來(lái)嚴(yán)重影響電池性能。為了避免這些危險(xiǎn)情況，重要的是通過(guò)稱為電池平衡的過(guò)程定期串聯(lián)電池電壓。

  • 如何設(shè)計(jì)電池管理系統(tǒng)，AFE系統(tǒng)介紹

    在過(guò)去十年中，電池供電的應(yīng)用已變得司空見(jiàn)慣，此類設(shè)備需要一定程度的保護(hù)以確保安全使用。電池管理系統(tǒng) (BMS) 監(jiān)控電池和可能的故障情況，防止電池出現(xiàn)性能下降、容量衰減甚至可能損害用戶或周圍環(huán)境的情況。

  • GaN 晶體管的性能測(cè)試，器件GS61008T

    GaN晶體管是新功率應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

  • 如何在我們的項(xiàng)目中選擇合適的 MOSFET 器件

    隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。

  • 使用LLC 諧振拓?fù)浣档土碎_(kāi)關(guān)損耗，提高了電源的工作效率

    在當(dāng)前的全球能源危機(jī)中，重點(diǎn)是效率，電子產(chǎn)品正面臨著在提供高性能的同時(shí)降低功耗的艱巨挑戰(zhàn)。由于這場(chǎng)危機(jī)，世界各地的各種政府機(jī)構(gòu)已經(jīng)或正在尋求提高其各自規(guī)格中眾多產(chǎn)品的效率標(biāo)準(zhǔn)。使用傳統(tǒng)的硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器將難以滿足這些效率規(guī)范。電源設(shè)計(jì)人員將需要考慮軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湟蕴岣咝什⒃试S更高頻率的操作。

  • BMS到底是什么,不同設(shè)備BMS有什么區(qū)別？

    如果您使用過(guò)或查看過(guò)電池系統(tǒng)，您很可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)電池管理系統(tǒng)或 BMS。那么，如果它們都做同樣的事情，為什么 BMS 價(jià)格從 10 美元到幾千美元不等呢?一個(gè)適當(dāng)?shù)念惐仁菃?wèn)為什么機(jī)動(dòng)運(yùn)輸系統(tǒng)的價(jià)格差異如此之大，在這一范圍的一端是機(jī)動(dòng)滑板，另一端是運(yùn)輸卡車。讓我們仔細(xì)看看這個(gè)類比如何在電池管理系統(tǒng)中發(fā)揮作用。

  • 瞬態(tài)負(fù)載為電力系統(tǒng)提供鍛煉

    使用本設(shè)計(jì)實(shí)例中描述的快速動(dòng)態(tài)負(fù)載來(lái)測(cè)試電力系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)可以揭示許多關(guān)鍵的運(yùn)行特性?？焖匐娏麟A躍導(dǎo)致的電壓偏差可以提供對(duì)穩(wěn)壓器相位裕度的深入了解。此外，對(duì)于距離負(fù)載點(diǎn)有一定距離的電源，瞬態(tài)測(cè)試可以幫助確定有效的串聯(lián)互連電感、并聯(lián)電容和 ESR。雖然商業(yè)電源的相位裕度通常由供應(yīng)商驗(yàn)證，但添加遠(yuǎn)程感應(yīng)通常會(huì)破壞電源的穩(wěn)定性?；ミB電感和負(fù)載電容會(huì)在調(diào)節(jié)器控制回路反饋中引入額外的相移，從而影響穩(wěn)定性。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-EPAD MOSFET參數(shù)介紹

    EPAD MOSFET 是一種有源器件，可在大量設(shè)計(jì)中用作基本電路元件。有許多電路可以利用它們。使用這些 EPAD MOSFET 器件的潛在設(shè)計(jì)和用途的數(shù)量?jī)H受設(shè)計(jì)人員的需求和想象力的限制。

  • 頻率折返工作方式：逐漸降低頻率折返，及電流頻率二級(jí)折返保護(hù)

    輸出短路保護(hù)固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護(hù)效果會(huì)降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式，雖然保護(hù)效果好，但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無(wú)法恢復(fù)正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCDC變換器，輸出短路時(shí)，固定折返頻率為正常工作頻率的1/16，系統(tǒng)進(jìn)入到非連續(xù)工作模式。

  • 在 IoT 應(yīng)用程序中平衡內(nèi)存性能和功耗

    為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對(duì)系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高性能控制器但低功耗存儲(chǔ)器。一個(gè)典型的案例是可穿戴設(shè)備，其中控制器需要功能強(qiáng)大，但由于 SRAM 用作暫存器，因此預(yù)計(jì)它具有盡可能低的功耗。

  • 修改我們的開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)以改善瞬態(tài)響應(yīng)，第二部分

    盡管輸出電壓隨負(fù)載的變化在美學(xué)上令人不快，但該模型相對(duì)于前一個(gè)模型的優(yōu)勢(shì)是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓，具有幾乎兩倍的 ESR，并且當(dāng)我們將它們與允許的偏差進(jìn)行比較時(shí)，誤差源和紋波電壓會(huì)變小，這通常是這種情況。將近兩倍的 ESR 意味著輸出電容器的數(shù)量幾乎減少了一半，從而大大降低了成本和尺寸。剩下的問(wèn)題是：我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)電源以具有此特性?

  • 修改我們的開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)以改善瞬態(tài)響應(yīng)，第一部分

    開(kāi)關(guān)電源通常具有嚴(yán)格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準(zhǔn)，我們無(wú)需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實(shí)現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范，制造商通常將其指定為瞬態(tài)負(fù)載的最大允許偏差，該瞬態(tài)負(fù)載具有規(guī)定的電流階躍和規(guī)定的最大允許壓擺率。這些規(guī)格以及恢復(fù)時(shí)間定義了瞬態(tài)后輸出電壓需要多長(zhǎng)時(shí)間才能恢復(fù)到靜態(tài)限制范圍內(nèi)。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-亞閾值電壓操作

    在閾值電壓或低于閾值電壓時(shí)，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導(dǎo)致漏極電流呈指數(shù)下降。然而，通道不會(huì)隨著柵極電壓的降低而突然關(guān)閉，而是以每十倍電流下降約 110 mV 的固定速率下降。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-增強(qiáng)型 EPAD MOSFET

    ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時(shí)，它們是常開(kāi)器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在沒(méi)有電源電壓且 Vgs = 0.0V 的情況下，這些 EPAD MOSFET 器件已經(jīng)開(kāi)啟，并且在源極和漏極端子之間表現(xiàn)出受控的導(dǎo)通電阻。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-“零閾值”模式設(shè)備

    尋求在電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì)，這給電氣工程師帶來(lái)了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來(lái)，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地?cái)U(kuò)大可用電壓范圍，否則會(huì)使新電路取得成功。

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