用于通過線圈傳輸電能的技術(shù)分為兩類:第一類稱為感應(yīng)耦合,或稱磁感應(yīng),或稱電磁感應(yīng),這三個(gè)名稱指的是同一種技術(shù),在業(yè)界簡(jiǎn)稱為 MI。此外,同樣通過線圈傳輸能量的磁共振在業(yè)內(nèi)被稱為MR。MI無線充電技術(shù)已廣泛應(yīng)用于市面上的手持設(shè)備中,但采用MR技術(shù)的產(chǎn)品卻很少見。MI技術(shù)和MR技術(shù)最大的區(qū)別在于阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(IMN)的配置。MI技術(shù)沒有IMN,因此其效率隨著感應(yīng)距離的增加而降低,而帶有IMN的MR技術(shù)可以在距離變化的情況下通過IMN的調(diào)整來保持高效率的磁共振技術(shù)。
對(duì)于功能驗(yàn)證,思科做了幾件事。它為前門初始化設(shè)計(jì)了一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。它采用了所有的 C++/System C 測(cè)試檢查器和模擬檢查,甚至是實(shí)時(shí)檢查,并將它們移植到仿真器中。它還使用 Mentor 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包生成器監(jiān)視器 (EPGM) 作為 IP 來生成以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包或不同種類的數(shù)據(jù)包。
為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計(jì) ASIC 面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn)。一是這些設(shè)備的帶寬和延遲性能測(cè)試比其他類型的 IC 所需的仿真周期要長(zhǎng)得多。當(dāng)然,擴(kuò)展模擬會(huì)減慢整個(gè)設(shè)計(jì)過程。為了解決這些問題和其他問題,思科工程師采用了將仿真與仿真相結(jié)合的做法,以改進(jìn)和加速驗(yàn)證過程。
新 EcoGaN? 系列的第一個(gè)系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實(shí)現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V - 非常適用于工業(yè)設(shè)備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設(shè)備。
為了評(píng)估該開關(guān)在 WPT 阻抗匹配應(yīng)用中的性能,Menlo Microsystems 和Solace Power創(chuàng)建了電路和電氣環(huán)境類似于 Solace 的 Equus 系統(tǒng)。Solace WPT 方法采用獲得專利的諧振電容耦合技術(shù),可在固定或可變距離情況下以 13.56 MHz 傳輸高達(dá) 150 W 的射頻功率。
如果諧振無線電力傳輸 (WPT) 系統(tǒng)要兌現(xiàn)其為電動(dòng)汽車和其他大功率應(yīng)用充電的承諾,首先必須解決一個(gè)工程問題。
除了現(xiàn)代電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)的嚴(yán)格電氣要求外,設(shè)計(jì)人員還需要考慮輻射效應(yīng)。在某些情況下,輻射效應(yīng)要求可能不如電氣要求那么明顯。
為衛(wèi)星有效載荷設(shè)計(jì)電源管理系統(tǒng)變得越來越具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)榭臻g合格的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 的可用性越來越高,并且它們的處理能力相應(yīng)提高。這些處理能力是以犧牲 FPGA 所需的多個(gè)電源軌和具有非常嚴(yán)格的電壓調(diào)節(jié)要求的大電流、低電壓內(nèi)核軌為代價(jià)的。這些要求使得以前的電源管理設(shè)計(jì)不太實(shí)用,因?yàn)樗鼈儾荒軡M足衛(wèi)星對(duì)尺寸、重量和輻射性能的所有要求。
本文旨在演示一種智能亮度控制燈的設(shè)計(jì),該燈使用具有四個(gè)輸出的可編程混合信號(hào)矩陣、工作電壓高達(dá) 13.2 V 和每個(gè)輸出 2 A 電流的運(yùn)動(dòng)傳感器。該系統(tǒng)是使用高壓宏單元和芯片內(nèi)的其他內(nèi)部和外部組件創(chuàng)建的,以與運(yùn)動(dòng)傳感器交互。
移動(dòng)電話、個(gè)人可穿戴設(shè)備以及我們家中的許多無線傳感器和控制器的無拘無束世界的便利是有代價(jià)的:不斷關(guān)注和管理為其供電的可充電電池。
根據(jù)國際能源署對(duì)能源和公用事業(yè)部門的一項(xiàng)調(diào)查,過去五年全球用電量繼續(xù)以每年 3.5% 的速度持續(xù)增長(zhǎng)。 2020 年,前 12 個(gè)國家的表觀消費(fèi)量估計(jì)為 16 吉瓦時(shí),其中中國、美國和印度占總量的 60%。盡管由于大流行導(dǎo)致的封鎖,2020 年的消費(fèi)率下降了 5%,但在“V 型”復(fù)蘇和被壓抑的需求的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)今年將出現(xiàn)反彈。
我的最后一個(gè)問題是關(guān)于展望未來:您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此,這些天來,我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供良好的價(jià)值?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?
現(xiàn)在討論的一個(gè)主題是器件的熱管理方面,而寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵,但不僅是碳化硅解決方案,承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知,在將這些設(shè)備設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中時(shí),設(shè)計(jì)人員還需要考慮熱管理問題。那么,您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么,您如何看待隨著功率密度的增加而對(duì)工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?
最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中,因此,它可以以最少的工作量與驅(qū)動(dòng)程序和控制器連接,并且還可以節(jié)省成本,因此不需要額外的組件。因此,我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動(dòng)。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動(dòng)器的原因是什么嗎?
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么,大家能告訴我從設(shè)計(jì)的角度來看,哪些是主要的,哪些是我們的發(fā)展方向?,關(guān)于GaN的十件事,有沒有你更關(guān)注的點(diǎn)?