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[導(dǎo)讀]很多產(chǎn)品要求輔助直流輸出為外部器件或子系統(tǒng)提供電源。如果這些子系統(tǒng)是熱連接的,一定要保護(hù)輔助輸出免于短路。采用熔絲的方案反應(yīng)是遲鈍的,并且導(dǎo)致內(nèi)部直流電壓軌電壓

很多產(chǎn)品要求輔助直流輸出為外部器件或子系統(tǒng)提供電源。如果這些子系統(tǒng)是熱連接的,一定要保護(hù)輔助輸出免于短路。采用熔絲的方案反應(yīng)是遲鈍的,并且導(dǎo)致內(nèi)部直流電壓軌電壓下降,可能影響到主系統(tǒng)。

如圖所示的電路,提供了脈沖電流將其限制在非常低的成本。它可以處理輸出的瞬間或持續(xù)短路。輸入范圍的影響僅僅是很小的干擾(glitch)(在數(shù)百微秒內(nèi)的幾百毫伏)。U1是施密特觸發(fā)脈沖反相器(74HC14),Q2是開關(guān),而RSENSE是電流感應(yīng)電阻。對(duì)該電路而言,VIN=12 V,并且該電路被設(shè)計(jì)成負(fù)載電流最大為0.6A。

在通常條件下(負(fù)載電流小于500mA)Q1關(guān)閉,V1=0 V,V2=0V,C1放電,而V3=5V,Q3、Q2打開,并且VOUT=12V。

如果負(fù)載電流上升到大于0.6A,Q1打開,V1增大,而C1在很小的時(shí)間常數(shù)(C1×R1)下通過D1充電。當(dāng)V2增大到大于74HC14的斷路點(diǎn)上限時(shí),V3下降,并且Q3、Q2關(guān)閉,而負(fù)載電流變?yōu)榱?。然后,Q1關(guān)閉,V1開始下降,而C1在較大的時(shí)間常數(shù)(C1×R2)下放電。在較長(zhǎng)的周期(依賴于C1和R2)以后,V2變低,V3的開關(guān)變

高,而串聯(lián)的開關(guān)管(Q2)打開。

如果持續(xù)短路,該脈沖開關(guān)連續(xù)打開和關(guān)閉。對(duì)于高電流的應(yīng)用而言,RSENSE上的功耗成為問題。所以,Q1可以用高端電流傳感器來(lái)代替,該傳感器有放大作用(類似Zetex的ZXCT1021),具有適當(dāng)?shù)碾娐犯倪M(jìn)。D2是用于當(dāng)電源被關(guān)閉時(shí)C1放電的保護(hù)二極管。Q2具有足夠的額定電流(4到5A)。設(shè)計(jì)師也可以考慮施密特觸發(fā)器短路點(diǎn)的容差。Q2也可以用P溝道MOSFET來(lái)代替,從而具有更低的正向壓降。對(duì)更高的電壓(例如24V),MOSFET柵-源應(yīng)該被保護(hù):其不可以超過齊納二極管的擊穿電壓。

當(dāng)輸出被1Ω電阻短路時(shí),得到的V2是2到3.2V之間的鋸齒波,其上升時(shí)間是500μs,延遲時(shí)間是1s。輸出電流脈沖的幅度大約是1.5A持續(xù)500μs,而在輸入幅度的干擾是0.2V持續(xù)500μs。C1可以是一個(gè)較低的值(如0.47μF),以此來(lái)減小短路電流的脈沖寬度。

 

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