基于全橋移相控制器UC3879的開關(guān)電源設(shè)計
摘要:采用全橋移相型PWM控制器UC3879進(jìn)行了300 W開關(guān)電源的設(shè)計。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在開關(guān)電源的設(shè)計過程中采用全橋移相控制技術(shù),可有效降低電磁噪聲,電源的動態(tài)響應(yīng)快,通用性好,工作可靠。滿足系統(tǒng)控制指標(biāo),具有較強(qiáng)的魯棒性。
關(guān)鍵詞:UC3879;全橋移相;開關(guān)電源
電源按控制方式一般可分為線性電源和開關(guān)電源兩類。其中:線性電源的輸出紋波較小、電磁兼容性較好,但效率較低、發(fā)熱較大、電源體積較大;開關(guān)電源以其效率高、發(fā)熱量較小、體積小、重量輕,逐漸取代了線性電源。
全橋移相的開關(guān)電源控制方式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡潔,控制方式簡單。在這種控制方式下:開關(guān)頻率恒定,有利于濾波器的優(yōu)化設(shè)計;可實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開關(guān),減小了開關(guān)損耗,提高了電源的工作效率;由于元器件的電壓和電流應(yīng)力較小,降低了元器件的性能要求,使電源成本降低。因此,在中、大功率的開關(guān)電源設(shè)計過程中多采用全橋移相的控制方式。
筆者在此基礎(chǔ)上利用全橋移相技術(shù),進(jìn)行了300 W開關(guān)電源的設(shè)計。
1 設(shè)計要求
擬設(shè)計的開關(guān)電源的技術(shù)指標(biāo)如下:
(1)輸入電壓范圍:DC 18 V~36 V;
(2)輸出電壓:DC 24 V;
(3)輸出電壓微調(diào):標(biāo)稱輸出電壓的±10%;
(4)額定輸出電流:12 A;
(5)負(fù)載調(diào)整度:±1%;
(6)輸出電壓紋波峰峰值:200 mVp-p;
(7)過流保護(hù):15 A;
(8)工作溫度:-20℃~+85℃;
(9)環(huán)境濕度:相對濕度90%(35℃)。
2 開關(guān)電源的設(shè)計
由于開關(guān)電源輸出的功率較大,所以采用全橋移相的控制方式。電源主控芯片選用TI公司的全橋移相型PWM控制器UC3879,UC3879可對兩個半橋開關(guān)電路的相位進(jìn)行移相控制,實(shí)現(xiàn)功率級的恒頻PWM控制;UC3879的4個輸出端分別驅(qū)動A/B、C/D 2個半橋,每個半橋都能進(jìn)行單獨(dú)的導(dǎo)通延時(死區(qū))調(diào)節(jié),在該死區(qū)時間內(nèi)確保下一個導(dǎo)通管的輸出電容放電完畢,為即將導(dǎo)通的開關(guān)管提供零電壓開通條件;UC3879可工作在電壓模式和電流模式下,并具有1個獨(dú)立的過電流關(guān)斷電路以實(shí)現(xiàn)故障的快速保護(hù)。其電氣特性如下:
(1)可實(shí)現(xiàn)0~100%的占空比控制;
(2)開關(guān)頻率可達(dá)2 MHz;
(3)兩個半橋輸出的導(dǎo)通延時可單獨(dú)編程;
(4)支持欠壓鎖定功能;
(5)軟啟動控制功能;
(6)鎖定后的過流比較器在整個控制周期內(nèi)均可重新啟動;
(7)適用于電壓拓?fù)浜碗娏魍負(fù)洌?br />
(8)在欠壓鎖定期間輸出自動變成低電平;
(9)啟動電流僅150μA;
(10)誤差放大器帶寬為10 MHz。
在開關(guān)電源的設(shè)計過程中,變壓器設(shè)計是整個開關(guān)電源設(shè)計的核心,對開關(guān)電源性能有決定性的影響。現(xiàn)將這部分設(shè)計分述如下:
2.1 變壓器設(shè)計
變壓器設(shè)計的關(guān)鍵是磁芯的選取、原邊/副邊匝數(shù)的計算。在此,為避免開關(guān)電源產(chǎn)生的開關(guān)噪聲對負(fù)載的干擾,選取開關(guān)頻率為36 kHz,在此開關(guān)頻率的基礎(chǔ)上進(jìn)行變壓器的設(shè)計。
2.1.1 磁芯選擇
36 kHz開關(guān)頻率條件下:
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式中:Ap--磁芯面積乘積;
Ae--磁芯有效截面積;
AQ--窗口截面積;
PT--開關(guān)電源輸出功率;
η--開關(guān)電源效率,在此為0.8;
fs--變壓器的開關(guān)頻率;
Bm--磁通密度;
Km--窗口占空系數(shù),與導(dǎo)線粗細(xì)、繞制工藝及漏感和分布電容的要求等有關(guān);
KC--電流密度系數(shù),與鐵心形式、溫升要求等有關(guān)。
為保證磁芯具有一定裕度,選取TDK E150磁芯,該磁芯Ap=4.14(Ae=230 mm2,Aw=180 mm2),能夠滿足要求。
2.1.2 原邊/副邊匝數(shù)計算
為減小導(dǎo)線的趨膚效應(yīng),選取導(dǎo)體標(biāo)稱直徑d=0.630 mm的導(dǎo)線,原邊12根并繞,副邊8根并繞。
原邊匝數(shù):
式中:VDT--MOSFET漏源壓降;
D--原邊繞組占空比;
Bmax--最大磁通密度;
Vdc(min)--直流母線電壓最小值;
T--開關(guān)周期,T=1/fs。
嘗試取原邊匝數(shù)Np=4時,副邊匝數(shù)為:
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考慮到導(dǎo)線的集膚效應(yīng)(集膚深度約0.38 mm),選取標(biāo)稱直徑0.630 mm的導(dǎo)線。其外徑為0.68 mm(1級)。
原邊并繞根數(shù):
取8根。
下面計算繞組總面積:
原邊繞組面積=Np×原邊并繞根數(shù)x0.6302=30.95 mm2.
副邊繞組面積=Ns×副邊并繞根數(shù)x0.6302=22.2 mm2.
總面積=原邊繞組面積+副邊繞組面積*2=84.12 mm2.
3 全橋移相變換器工作原理
全橋移相變換器是輸出功率最高的一類,其拓?fù)湓韴D如圖2:
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全橋移相變換器通過改變功率開關(guān)控制策略,使其中一個功率管先關(guān)斷,一次繞組的另一端仍與地相連,這使得漏感、諧振電感和MOSFE T的輸出電容構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)。這樣,一次繞組的開路端電壓振蕩到下管的母線端電位,然后下管MOSFET以ZVS(零電壓開關(guān))方式開通。接著與一次繞組滯后端相連的MOSFET可以關(guān)斷,且滯后端振蕩到上管母線端電位,最后上管MOSFET開通。MOSFET的開通、關(guān)斷波形見圖3。
由于MOSSFET管在關(guān)斷瞬間,一次繞組的兩端都有一個單端流過的負(fù)載電流,所以每個MOSFET都實(shí)現(xiàn)了ZVS開通、關(guān)斷,錯開了功率器件大電流和高電壓同時出現(xiàn)的硬開關(guān)狀態(tài),抑制了MOSFET開通、關(guān)斷時產(chǎn)生的電壓尖峰,減少了開關(guān)損耗與干擾。
4 諧振電感設(shè)計原則
ZVS的實(shí)質(zhì)就是:利用諧振過程對并聯(lián)電容充放電,讓某一橋臂電壓Ua或Ub快速升至電源電壓或降至零值,使同一橋臂即將開通管的并聯(lián)二極管導(dǎo)通,把該管兩端電壓迅速鉗在零位。而在主變壓器源端串接自我諧振電感Lr,可促使變換器滯后臂實(shí)現(xiàn)ZVS。
由于只有Lr參與諧振,如果諧振開始時Lr電流iLr較小,Lr儲能不夠,電容C的諧振電壓Uc的峰值就有可能達(dá)不到Uin,開關(guān)管的并聯(lián)二極管就不能導(dǎo)通,其對應(yīng)的開關(guān)管就不能實(shí)現(xiàn)零電壓開通。為了使電容的諧振電壓峰值能夠達(dá)到Uin,電感的儲能必須足夠,在諧振開始時電感Lr的電流iLr(0)必須滿足:
這一不等式是設(shè)計諧振電感Lr的依據(jù)。
Lr取值較大可有效抑制原邊電流急劇變化引起的寄生振蕩,減小上沖或下沖的尖峰毛刺,降低開關(guān)損耗;但Lr過大又會延長占空比丟失時間,降低整機(jī)效率。Lr取值小些可縮短原邊電流在死區(qū)時間諧振過零的反向過程,在輸入電壓最低、輸出電流最大時仍能控制移相穩(wěn)壓,提升電源效率;但Lr過小,雖使占空比丟失減小,但原邊電流上沖或下沖的尖峰毛刺會顯著增大,增大開關(guān)損耗,降低電源的可靠性。因此,在實(shí)際的設(shè)計過程中,在允許的范圍內(nèi)要多做比較,不斷優(yōu)化,以試驗(yàn)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。
5 結(jié)論
經(jīng)設(shè)計、調(diào)試后,開關(guān)電源在環(huán)境實(shí)驗(yàn)及常溫連續(xù)工作過程中輸出電壓穩(wěn)定,動態(tài)響應(yīng)較快,供電品質(zhì)較高,滿足設(shè)計指標(biāo)要求。