O 引言
    目前，功率模塊正朝著集成化、智能化和模塊化的方向發(fā)展。功率模塊為機(jī)電一體化設(shè)備中弱電與強(qiáng)電的連接提供了理想的接口。
    在任何運(yùn)行狀態(tài)下，功率模塊都需要受到保護(hù)，以避免其承受不允許的電流應(yīng)力，也就是說，避免功率模塊的運(yùn)行區(qū)超出所給定的安全工作區(qū)。
    超出安全工作區(qū)運(yùn)行將導(dǎo)致功率模塊受損傷，其壽命會由此而縮短。情況嚴(yán)重時(shí)還會立刻導(dǎo)致功率模塊的損壞。
    因此，最重要的是先檢測出臨界的電流狀態(tài)和故障，然后再去恰當(dāng)?shù)仨憫?yīng)它們。
    本文的敘述主要是針對IGBT的過電流保護(hù)，但是，也可以類推應(yīng)用到功率MOSFET。

1 故障電流的種類
    故障電流是指超過安全工作區(qū)的集電極或漏極電流。它可以由錯(cuò)誤的控制或負(fù)載引起。
    故障電流可通過以下機(jī)理導(dǎo)致功率半導(dǎo)體的損壞；
    1)由高功率損耗導(dǎo)致的熱損壞；
    2)動態(tài)雪崩擊穿；
    3)靜態(tài)或動態(tài)的擎住效應(yīng)；
    4)由過電流引起的過電壓。
    故障電流可進(jìn)一步劃分為過電流、短路電流及對地故障電流。
1.1 過電流
    特征：
    1)集電極電流的di／dt低(取決于負(fù)載電感和驅(qū)動電壓)；
    2)故障電流通過直流母線形成回路；
    3)功率模塊沒有離開飽和區(qū)。
    起因：
    1)負(fù)載阻抗降低；
    2)逆變器控制出錯(cuò)。
1.2 短路電流
    特征：
    1)集電極電流急劇上升；
    2)故障電流通過直流母線形成回路；
    3)功率模塊脫離飽和區(qū)。
    起因：
    1)橋臂直通短路(圖l中的情況1)
    一一由于功率模塊失效而引起；
    一一由于錯(cuò)誤的驅(qū)動信號而引起。
    2)負(fù)載短路電流(圖l中的情況2)
    一一由于絕緣失效而引起；
    一一由于人為的失誤而引起(例如誤接線)。
1．3 對地故障電流
    圖l中的情況3。

    特征：
    1)集電極電流的上升速度取決于接地電感和作用于回路的電壓；
    2)對地故障電流不經(jīng)過直流母線形成封閉回路；
    3)功率模塊脫離飽和區(qū)與否取決于故障電流的大小。
    起因：
    由于絕緣的失效或人為的失誤使帶電導(dǎo)線和大地電位之間存在連接。

2 ICBT和MOSFET在過載及短路時(shí)的特性
2.1 過電流
    原則上，器件在過電流時(shí)的開關(guān)和通態(tài)特性與其在額定條件下運(yùn)行時(shí)的特性相比并沒有什么不同。由于較大的負(fù)載電流會引起功率模塊內(nèi)較高的損耗，所以，為了避免超過最大的允許結(jié)溫，功率模塊的過載范圍應(yīng)該受到限制。
    在這里，不僅僅是過載時(shí)結(jié)溫的絕對值，而且連過載時(shí)的溫度變化范圍都是限制性因素。
    幾個(gè)ICBT和MOSFET的具體的限定值，由圖2所示的典型功率模塊的安全工作區(qū)給出。

2．2 短路
    原則上，ICBT和MOSFET都是安全短路器件。也就是說，它們在一定的外部條件下可以承受短路，然后被關(guān)斷，而器件不會產(chǎn)生損壞。
    在考察短路時(shí)(以IGBT為例)，要區(qū)分以下的兩種情況。
    1)短路I
    短路I是指功率模塊開通于一個(gè)已經(jīng)短路的負(fù)載回路中。也就是說，在正常情況下的直流母線電壓全部降落在功率模塊上。短路電流的上升速度由驅(qū)動參數(shù)(驅(qū)動電壓、柵極電阻)所決定。由于短路回路中寄生電感的存在，這一電流的變化將產(chǎn)生一個(gè)電壓降，其表現(xiàn)為集電極一發(fā)射極電壓特性上的電壓陡降，如圖3所示。

    穩(wěn)態(tài)短路電流值山功率模塊的輸出特性所決定。對于IGBT來說，典型值最高可達(dá)到額定電流的8~10倍。
    2)短路Ⅱ
    在此情形下，功率模塊在短路發(fā)生前已經(jīng)處于導(dǎo)通狀態(tài)。和短路Ⅱ情形相比較，功率模塊所受的沖擊遠(yuǎn)為甚之。
    為了解釋這個(gè)過程，圖4顯示了短路Ⅱ的等效電路圖及其定性的特性曲線。

    一旦短路發(fā)生，集電極電流迅速上升，其上升速度由直流母線電壓VDC和短路回路中的電感所決定。
    在時(shí)間段1內(nèi)，IGBT脫離飽和區(qū)。集電極一發(fā)射極電壓的快速變化將通過柵極 集電極電容產(chǎn)生一個(gè)位移電流，該位移電流又引起柵極一發(fā)射極電壓升高，具結(jié)果是出現(xiàn)一個(gè)動態(tài)的短路峰值電流IC/SCM。
    在IGBT完全脫離飽和區(qū)后，短路電流趨于其穩(wěn)態(tài)值(時(shí)間段2)。這期間，回路的寄生電感將感應(yīng)出一個(gè)電壓，其表現(xiàn)為IGBT的過電壓。
    在短路電流穩(wěn)定后(時(shí)間段3)，短路電流被關(guān)斷。此時(shí)換流回路中的電感Lx將在IGBT上再次感應(yīng)一個(gè)過電壓(時(shí)間段4)。
    IGBT在短路過程中所感應(yīng)的過電壓可能會是其正常運(yùn)行時(shí)的數(shù)倍，如圖5所示。

    為保證安全運(yùn)行，必須滿足下列重要的臨界條件：
    1)短路必須被檢測出，并在不超過lOμs的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉；
    2)兩次短路的時(shí)間間隔最少為1s；
    3)在IGBT的總運(yùn)行時(shí)間內(nèi)，其短路次數(shù)不得大于1000次。
    短路I和短路Ⅱ均將在功率模塊中引起損耗，從而使結(jié)溫卜升。在這里，集電極一發(fā)射極電壓的正溫度系數(shù)有著一個(gè)優(yōu)點(diǎn)(對漏源電壓也同樣適用)，它使得穩(wěn)態(tài)短路期間的集電極電流得以降低，如圖6所示。

3 故障的檢測和保護(hù)
    逆變器中的故障電流可以在不同的節(jié)點(diǎn)檢測，對被檢測到的故障電流的反應(yīng)也可能各不相同。
    這里將討論快速保護(hù)，前提是故障電流在功率模塊內(nèi)部被檢測到，并且功率模塊由驅(qū)動器直接關(guān)斷。功率模塊的總響應(yīng)時(shí)間可能只有數(shù)十ns。
    若故障電流檢測位于功率模塊之外，則故障電流信號首先被送至逆變器的控制板，并從那里出發(fā)并觸發(fā)故障反應(yīng)程序，這一過程被稱作慢保護(hù)。此過程甚至還可以由逆變器的控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)來處理(例如，系統(tǒng)對過載的反應(yīng))。
3.1 故障電流的檢測
    圖7給出了一個(gè)電壓型逆變電路。在這里，可能檢測到故障電流的測試點(diǎn)均被注出。

    故障電流的檢測可以作如下劃分：
    1)過電流 可在①~⑦點(diǎn)檢測；
    2)橋臂直通短路 可在①~④和⑥~⑦點(diǎn)檢測；
    3)負(fù)載短路 可在①~⑦點(diǎn)檢測；
    4)對地短路 可在①、③、⑤、⑥點(diǎn)檢測，或通過汁算①與②點(diǎn)電流之差而得到。
    原則上，控制短路電流要求快速的保護(hù)措施，以在驅(qū)動電路的輸出端實(shí)現(xiàn)直接控制，原因是在短路發(fā)生后功率模塊必須在lOμs之內(nèi)關(guān)閉。為此，故障電流可以在檢測點(diǎn)③、④、⑥和⑦處檢測。
    在①~⑤點(diǎn)的測量可以通過測量分流器或感應(yīng)式電流變換器來實(shí)現(xiàn)。
3.1.1 測量用分流器
    1)測量方法簡單；
    2)要求低電阻(1O~lOOmΩ)、低電感的功率分流器；
    3)測量信號對干擾高度靈敏；
    4)測量信號不帶電位隔離。
3．1．2 測量用電流互感器
    1)遠(yuǎn)較分流器復(fù)雜；
    2)與分流器相比較，測量信號不易受干擾；
    3)測量值已被隔離。
    在測試點(diǎn)⑥和⑦，故障電流的檢測可以直接在IGBT或MOSIEET的端子處進(jìn)行。在這里，保護(hù)方法可以是vCEsat或vDS（os）檢測(間接測暈)，或者是鏡像電流槍測。后者采用一個(gè)傳感器一小部分的檢測IGBT單元的辦法來反映主電流(直接測量)。圖8給出了原理電路圖。

3.1.3 用鏡像ICBT來檢測電流
    在一個(gè)鏡像IGBT中，一小部分的ICBT單元和一個(gè)用于檢測的發(fā)射極電阻相結(jié)合，且并聯(lián)于主IGBT的電流臂上。一旦導(dǎo)通的集電極電流通過測量電阻，便可以獲得其信息。在Rsense=0時(shí)，兩個(gè)發(fā)射極之間的電流比等于理想值，為鏡像IGBT單元數(shù)與總單元數(shù)之比。如果Rsense增大，則測量電路中導(dǎo)通的電流將因測量信號的反饋而減小。
    因此，電阻Rsense應(yīng)被控制在1~5Ω的范圍內(nèi)，以便獲得足夠準(zhǔn)確的集電極電流測量結(jié)果。
    如果用于關(guān)斷的電流門限值只是略大于功率模塊的額定電流，那么在IGBT開通期間，因?yàn)榉聪蚶m(xù)流二極管反向恢復(fù)電流峰值的作用，電流檢測必須關(guān)閉(在硬開關(guān)電路中)。
    若檢測電阻趨于無限大時(shí)(Rsense→∞)，則其測量電壓等于集電極一發(fā)射極飽和電壓。因此，鏡像電流檢測轉(zhuǎn)化為vCEsat檢測。
3.2 故障電流的降低
    通過降低或限制高額故障電流，特別足在短路和低阻抗的對地短路情況下，功率模塊可以獲得更好的保護(hù)。
    如圖l中所示的那樣，在短路Ⅱ情形下，高dvCE/dt引起柵極——發(fā)射極電壓上升，進(jìn)而產(chǎn)生一個(gè)動態(tài)的短路過電流。
    短路電流的幅度可以通過柵極——發(fā)射極電壓的箝位來降低。
    除了限制動態(tài)短路過電流外，穩(wěn)態(tài)的短路電流也可以通過減小柵極——發(fā)射極電壓的方法來減小。這一方法將減小短路期間功率模塊的損耗，同時(shí)由于需關(guān)斷的短路電流較低，過電壓也隨之降低。其原理見圖9所示。

    這一保護(hù)技術(shù)可以將耐沖擊功率模塊的穩(wěn)態(tài)短路電流限制在額定電流的3倍左右。

4 結(jié)語
    隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，類似IGBT、MOS-FET的功率模塊的應(yīng)用也越來越普及。為了其安全高效地工作運(yùn)行，必須對功率模塊考慮過電流保護(hù)措施。首先，應(yīng)能在最短的時(shí)間內(nèi)檢測到過電流故障，然后，采取適當(dāng)?shù)姆绞奖Ｗo(hù)功率模塊。
    有時(shí)候，在過電流發(fā)生時(shí)，立即關(guān)斷功率模塊并不是最佳方式。一個(gè)極為簡單的動態(tài)柵極控制的保護(hù)方式是，在IGBT和MOSFET過流或短路情況下采用降低柵極——發(fā)射極電壓的方法，減慢關(guān)斷過程。這就是功率模塊的“軟”關(guān)斷過程。