對于包含有大電容量的裝置而言，控制浪涌電流成為一大難題。最簡單的方法就是將浪涌限幅電阻器與電容器組串聯(lián)，但電阻器會(huì)浪費(fèi)功率并增加壓降。圖1所示電路解決了這一難題并能提供其它優(yōu)勢。在啟動(dòng)時(shí)，雙極型 PNP晶體管Q₂使N溝道功率MOSFET晶體管Q₁保持關(guān)斷，直到電容器C_l兩端的電壓高到足以關(guān)斷Q₂的電平為止。在此時(shí)間間隔內(nèi)，電阻器R₁為C₁及電路其它元件提供啟動(dòng)電流。當(dāng)Q₂關(guān)斷時(shí)，Q₁導(dǎo)通并在 R₁兩端提供一條低阻通道。當(dāng)關(guān)閉外部電源時(shí)，電路隨C₁放電而復(fù)位。
　　作為額外好處，該電路還可提供短路負(fù)載保護(hù)。隨著通過Q₁的電流增大，Q₁兩端的壓降也由于Q₁內(nèi)部導(dǎo)通電阻而增大。當(dāng)Q₁兩端的電壓降至約 0.6V（Q2的 VBE(ON)電壓）時(shí)，Q₂導(dǎo)通且Q₁關(guān)斷，并迫使負(fù)載電流通過R₁。消除短路恢復(fù)正常工作，并使Q₂關(guān)斷及Q₁導(dǎo)通。請注意：由于Q₁導(dǎo)通電阻充當(dāng)該功能的檢流電阻器，故短路消除點(diǎn)可隨環(huán)境溫度及Q₁的特性而變化。您可以通過選擇R₁與Q₁的導(dǎo)通電阻特性來調(diào)整Q₁的導(dǎo)通和關(guān)斷閥值。增加一個(gè)與Q₂ 發(fā)射極相串聯(lián)的普通二極管或齊納二極管，就可增加短路脫扣電流。

　　用于構(gòu)建此電路的元器件及其參數(shù)值取決于具體應(yīng)用。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，您可能需要為R₁選擇一個(gè)大功率電阻器，或給 Q₁增加一片散熱片。但對于許多應(yīng)用，該電路比其它常規(guī)方法更節(jié)省功率。