宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的兩個車用氮化鎵晶體管成功通過了國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應力測試認證。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布其兩個車用氮化鎵(eGaN)器件成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其它嚴峻環(huán)境實現(xiàn)多種全新應用。EPC2202及EPC2203是采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCS)、80 VDS 的分立晶體管。面向嚴峻的車用環(huán)境的多個分立晶體管及集成電路也將在不久的未來推出。

基于氮化鎵(eGaN)技術的產(chǎn)品已進行量產(chǎn)超過8年，累計了數(shù)十億小時的實際汽車應用經(jīng)驗，包括全自動駕駛汽車的激光雷達及雷達系統(tǒng)、48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器及高強度的貨車頭燈等應用。EPC2022及EPC2023是第一批通過AEC Q101測試認證的產(chǎn)品。

EPC2202為80 V、16 mΩ增強型氮化鎵場效應晶體管，采用2.1 毫米x1.6毫米芯片級封裝，脈沖電流為75 A。EPC2203 為80 V、73 mΩ器件，采用0.9 毫米x0.9毫米芯片級封裝，脈沖電流為18 A。與等效MOSFET相比，這些氮化鎵場效應晶體管的尺寸小很多，而且可實現(xiàn)的開關速度快10至100倍。兩個產(chǎn)品專為各種汽車應用而設計，包括：

· 激光雷達

· 高強度的貨車頭燈

· 48 V – 12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)

要通過AEC Q101認證測試，EPC的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)必需通過在嚴峻環(huán)境及不同偏壓的條件下的各種測試，包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫柵極偏壓(HTGB)、溫度循環(huán)(TC)及其它多種不同的測試。要留意的是，EPC器件的芯片級封裝也通過采用傳統(tǒng)封裝的器件的所有相同測試標準，證明芯片級封裝具備卓越性能而器件同時保持堅固耐用及其高可靠性。這些eGaN器件在符合汽車質(zhì)量管理系統(tǒng)標準IATF 16949的設備中生產(chǎn)。

EPC公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：“氮化鎵技術在汽車的應用還是剛剛開始發(fā)展。緊隨這兩個通過認證的車用氮化鎵器件，我們將推出更多、一系列的晶體管及集成電路，從而打造自動駕駛汽車的未來、節(jié)省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技術的產(chǎn)品的開關更快速、尺寸更小、效率更高及更可靠。"

價格及供貨

EPC2202 eGaN FET在批量為1,000片時的單價為1.57美元。EPC2203在批量為1,000片時的單價為0.44美元。