致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓撲參考設(shè)計。這款可擴展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(NCSU)合作開發(fā)，非常適合快速電動車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應用;此外，它亦可通過美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高效的開關(guān)以及高雪崩/高重復性非鉗位感性開關(guān)(UIS)能力和高短路耐受額定值。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示有源整流器PFC參考設(shè)計以及SiC產(chǎn)品系列中的其它解決方案。

美高森美副總裁兼分立和電源管理部門經(jīng)理Leon Gross表示：“汽車市場不斷變化，混合動力車(HEV)和電動車日益增加，SiC器件可以使得這些車輛提高效率，行走更遠路程。這繼續(xù)推動了市場對我們產(chǎn)品組合中的這些SiC器件以及其它高可靠性產(chǎn)品的高需求。在過去幾年來成功發(fā)布SiC MOSFET和二極管產(chǎn)品組合后，我們新推出的三相三開關(guān)三電平PFC參考設(shè)計是一個具體示例，說明如何在要求嚴苛的應用中利用這些部件，展示其穩(wěn)健性、高性能和整體價值。”

美高森美的用戶友好30 kW三相PFC參考設(shè)計包括用于其下一代SiC二極管和MOSFET的設(shè)計文件、開源數(shù)字控制軟件和用戶指南。與單相PFC和兩電平六開關(guān)升壓脈寬調(diào)制(PWM)整流器設(shè)計相比，該拓撲結(jié)構(gòu)具有多項優(yōu)勢，包括在連續(xù)導通模式下工作的失真極低，并可降低約98%的電源器件開關(guān)損耗;與Si/IGBT解決方案相比，它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優(yōu)勢。

該參考設(shè)計還提供詳細的3D機械和散熱設(shè)計，并帶有集成的風扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統(tǒng)尺寸。其印刷電路板(PCB)布局在開發(fā)時已考慮了安全性、電流應力、機械應力和抗噪聲能力。參考設(shè)計包帶有可立即使用的硬件和經(jīng)過驗證的開源軟件，可降低大功率開關(guān)設(shè)計的技術(shù)風險，同時加快產(chǎn)品上市。

除了適合快速EV/HEV充電器和適用于汽車和工業(yè)市場大功率三相電源外，美高森美全新有源三相PFC參考設(shè)計還可以用于醫(yī)療、航天、國防和數(shù)據(jù)中心市場。這款參考設(shè)計補充了面向HEV/EV充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動車動力系統(tǒng)/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動器應用美高森美整體SiC解決方案組合。

包括IndustryARC和Technavio在內(nèi)的市場研究機構(gòu)預計，電動車電力電子市場到2021年的年復合增長率(CAGR)將達到19%至33%。包括SiC器件在內(nèi)的寬帶隙半導體器件具有高工作溫度能力和高效率，因此在EV動力傳送、DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電和開關(guān)電源應用中的使用將會與日俱增。

6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進行演示

美高森美產(chǎn)品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上演示全新Vienna PFC參考設(shè)計和美高森美SiC解決方案。