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[導(dǎo)讀]PC2111氮化鎵半橋功率晶體管幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)具更高效率的負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用,在14 A、12 V轉(zhuǎn)至1.8 V、5 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過85%效率,及在10 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過80%效率。宜普

PC2111氮化鎵半橋功率晶體管幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)具更高效率的負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用,在14 A、12 V轉(zhuǎn)至1.8 V、5 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過85%效率,及在10 MHz開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)超過80%效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出30 V的增強(qiáng)型單片式半橋氮化鎵晶體管(EPC2111)。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管形成單個(gè)元件,可以去除互連電感及節(jié)省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度,而且同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉(zhuǎn)至負(fù)載點(diǎn)DC/DC轉(zhuǎn)換的理想元件。

在EPC2111半橋器件內(nèi)的每一個(gè)元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是14 mΩ,下面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是6 mΩ。EPC2111使用芯片級(jí)封裝,可以改善開關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是3.5 毫米(mm) x 1.5 毫米,功率密度更高。

EPC2111的其中一個(gè)主要應(yīng)用是筆記本電腦及平板電腦運(yùn)算。在這些系統(tǒng)內(nèi),功率轉(zhuǎn)換電路的占板面積差不多是50%,而且決定主機(jī)板的厚度。氮化鎵晶體管的高頻性能縮小功率轉(zhuǎn)換所需的占板面積,因此大大縮小下一代移動(dòng)電話運(yùn)算系統(tǒng)的尺寸。

價(jià)格及供貨

EPC2111單片式半橋元件的價(jià)格在一千批量時(shí)的單價(jià)為$1.62美元,可透過Digikey公司購買。

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