2016年1月5日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費(fèi)性電子產(chǎn)品電源提供業(yè)界最高能效的電源解決方案，在低負(fù)載條件下的節(jié)能效果特別顯著，讓設(shè)計(jì)人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時(shí)輕松達(dá)到日益嚴(yán)苛的能效目標(biāo)要求。

新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合ST經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的條形布局(strip layout)和全新進(jìn)化的垂直結(jié)構(gòu)與優(yōu)化的擴(kuò)散制程(diffusion process)，擁有優(yōu)秀的開關(guān)設(shè)計(jì)，包括極低的導(dǎo)通電阻和關(guān)機(jī)開關(guān)損耗，是特別為超頻功率轉(zhuǎn)換器(f> 150 kHz)專門設(shè)計(jì)，為要求最嚴(yán)苛的電源供應(yīng)器(PSU，Power Supply Unit)的理想選擇。

圖示1-大聯(lián)大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓?fù)渚m用，包括諧振拓?fù)?resonant topologies)，例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負(fù)載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的閘極電荷(Qg)極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)機(jī)能耗(Eoff )還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)機(jī)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負(fù)載能效，進(jìn)而協(xié)助電源廠商順利達(dá)成日益嚴(yán)苛的能效認(rèn)證要求。

升級(jí)后的關(guān)機(jī)波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效、降低噪聲，每周期回收再利用更多電能，而不是以散熱的形式浪費(fèi)掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性：

極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)

針對(duì)輕負(fù)載條件優(yōu)化電容曲線(capacitance profile)

針對(duì)軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

穩(wěn)健的本體二極管(body diode)

MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247)，所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。