壓榨晶圓潛能:SanDisk推出48層3D NAND芯片
欲著力借此趕超三星。
32層結(jié)構(gòu)已成昨日黃花。同志們,下面請鼓掌歡迎SanDIsk公司已進(jìn)入實驗性生產(chǎn)的48層3D NAND芯片!沒錯,就是這么回事,肆~拾~捌層高高的!
我們可以將其視為追趕三星公司的一項舉措,畢竟后者目前已經(jīng)開始推出第二代3D V-NAND芯片,其采用三層單元設(shè)計。戴爾方面將這些128 Gb晶粒應(yīng)用到了自己的SC系列存儲陣列當(dāng)中,旨在以前所未有的低廉每GB使用成本水平實現(xiàn)閃存產(chǎn)品的大規(guī)模銷售。
這款SanDisk芯片擁有256 Gb存儲容量,相當(dāng)于三星的二倍,且同樣采用三層單元設(shè)計(簡稱TLC)。目前由代工合作伙伴東芝在其Yokkaichi代工廠負(fù)責(zé)實驗性生產(chǎn)。
與三星的閃存芯片相比,SanDisk的層數(shù)為前者的二倍——48層結(jié)構(gòu)相當(dāng)于將兩塊2D NAND芯片摞在一起。
SanDisk公司表示其采用的是BiCS設(shè)計,且將“帶來比傳統(tǒng)2D NAND更出色的寫入/擦除耐久性、寫入速度與能源利用效率。”
這是因為它采用了較當(dāng)前SanDisk與東芝16納米芯片更大的光刻尺寸,從而提升了使用壽命水平。
東芝BiCS示意圖
我們認(rèn)為其具體制程應(yīng)該在24納米至40納米區(qū)間,不過SanDisk方面并沒有公布具體數(shù)字。雖然每層存儲容量低于16納米2D芯片,但總體48層結(jié)構(gòu)讓其在同樣的芯片尺寸之下實現(xiàn)了更為可觀的空間上限。
此次實驗性生產(chǎn)的目的在于對生產(chǎn)流程進(jìn)行微調(diào),同時探索出可以接受的芯片產(chǎn)能水平。正因為如此,目前該產(chǎn)品的具體上市日期為——未知。
我們預(yù)計三星方面也會在2016年年底甚至更早的時間點上生產(chǎn)出下一代48層V-NAND。
這意味著消費級及移動設(shè)備將輕松實現(xiàn)閃存容量倍增,這將幫助它們擁有更快的速度表現(xiàn)以及運行更為復(fù)雜的軟件產(chǎn)品的能力。
企業(yè)級存儲方案也將借此幫助熱門數(shù)據(jù)找到更值得考量的閃存存儲機(jī)制,也就是說應(yīng)用程序運行速度更快、服務(wù)器執(zhí)行效率更高。這些顯然都是值得慶祝的好消息。
SanDisk公司的這款3D TLC芯片將于2016年年內(nèi)正式投放市場。