隨著電子產(chǎn)品的不斷升級，其所需的記憶體晶片容量也越來越大。根據(jù)消息，英特爾與美光近日宣布共同推出了一種新的記憶體類別產(chǎn)品，其速度能夠達到非揮發(fā)性記憶體的一千倍，密度上則是普通DRAM的十倍之多。

但英特爾與美光并沒有透露更多細節(jié)，3DXPoint記憶體到底是什么其實不太清楚，根據(jù)EETimes編輯PeterClarke的報導(dǎo)，英特爾與美光對于該記憶體的材料結(jié)構(gòu)或開關(guān)機制細節(jié)透露得很少，僅表示其開關(guān)機制是基于塊狀材料的電阻變化，而兩家公司為3DXPoint記憶體“發(fā)明了獨特的復(fù)合材料”。英特爾與美光提供的新聞資料，花比較多篇幅談到連網(wǎng)裝置數(shù)量的爆炸，以及各種數(shù)位服務(wù)產(chǎn)生大量的新資料，為了要讓那些資料發(fā)揮用途，它們必須要能快速地儲存并進行分析。

媒體總在報道資料量越來越多，而有變化的是那些資料會儲存在哪里、將如何儲存;我們對SAN、NAS的討論，已經(jīng)被傳統(tǒng)硬碟機vs.固態(tài)硬碟(SSD)的話題取代，以及將有多少資料會飛上“云端”。美光與英特爾也談到了3DXPoint記憶體能藉由快速存取大量資料集，減少處理器在長程儲存時接觸資料所需時間;此外還有電腦玩家能因此享受到更短的下載時間。但這些都不是新的概念。

當(dāng)然，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的訊息總是會有某種程度的夸大──例如現(xiàn)在每款SSD產(chǎn)品發(fā)表，都是強調(diào)每日可處理多少讀寫次數(shù)──英特爾與美光的聯(lián)合聲明，看起來就很像是智慧型手機那種消費性產(chǎn)品的新聞稿，很強調(diào)那些嘩眾取寵的數(shù)字，卻對新記憶體技術(shù)原理細節(jié)著墨不多，但后者才是記憶體產(chǎn)業(yè)界人士們真正想知道的。

英特爾與美光最終還是不愿意透露3DXPoint這種記憶體技術(shù)的本質(zhì)，因此也引來許多猜測;它有可能是內(nèi)置了特選的二極體、以實現(xiàn)高密度元件結(jié)構(gòu)的電阻式記憶體(ReRAM)嗎?EETimes的評論家們已經(jīng)試圖從有限的已發(fā)表資料中來分析…也許它是相變化記憶體(PCM)的變形?

市場研究機構(gòu)ObjectiveAnalysis首席分析師JimHandy也在英特爾與美光新記憶體發(fā)表會的現(xiàn)場，并詢問兩家公司的代表，究竟3DXPoint最接近哪種記憶體?但他得到的回答是，目前市面上沒有任何一種技術(shù)像3DXPoint那么成熟;“他們還是沒有揭開神秘面紗;”Handy表示，英特爾與三星就是堅持3DXPoint不像任何一種過往技術(shù)：“根據(jù)他們提供的有限資料，我們也只好照著他們的話說。” 就算它非常神秘，Handy表示3DXpoint記憶體仍值得注意，但恐怕沒有達到會讓人從半夜驚醒的“突破”;各種替代性記憶體技術(shù)往往是希望能取代DRAM或NAND快閃記憶體，不過英特爾與美光卻表示，他們的新記憶體有自己的定位，而且不會讓美光的3DNAND產(chǎn)品藍圖有變化。Handy認為：“它在記憶體階層架構(gòu)(memoryhierarchy)中一定有個位置。”

那如果3DXpoint實際上是塊狀開關(guān)(bulkswitching)ReRAM、或是PCM的變種呢?以現(xiàn)有技術(shù)創(chuàng)造一種新使用途徑，其創(chuàng)新性就跟發(fā)明全新的技術(shù)是一樣的，而且如果能聽到ReRAM或PCM是如何被重新設(shè)計才變身成英特爾與美光的3DXpoint，會比聽到他們是用了什么材料“秘方”或新制程技術(shù)來得更有趣。

目前在英特爾與美光公布更多細節(jié)之前我們無法得知與該項新記憶體的更多報道。除非英特爾與美光能夠透露更多細節(jié)或者有新的記憶體產(chǎn)皮上市發(fā)布，關(guān)于此記憶體的更多消息我們只能拭目以待。