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[導(dǎo)讀]21ic電源網(wǎng)訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小,高度為2.5mm

21ic電源網(wǎng)訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小,高度為2.5mm,最小間隙和外部爬電距離為8mm。除了尺寸小的特點(diǎn),器件還具有高隔離電壓,VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V,非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴(yán)重條件下運(yùn)轉(zhuǎn),例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可替代能源、焊接設(shè)備和其他高工作電壓的應(yīng)用。

VOL3120的高度比標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝的器件低30%,能節(jié)省空間,并實(shí)現(xiàn)類似電磁爐面,以及民用太陽能電池和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的小尺寸逆變器等扁平外形的應(yīng)用。VOL3120不僅具有優(yōu)異的隔離能力,還具有當(dāng)今最佳的電氣性能。器件的過壓鎖定功能可保護(hù)IGBT/MOSFET,避免出現(xiàn)故障,對(duì)共模瞬態(tài)的抑制能力超過48kV/μs,能消除來自PCB上低壓區(qū)域的噪聲。

VOL3120的工作損耗電流最大為2.5mA,在要求高頻工作的電源應(yīng)用里是很實(shí)用的選擇。器件的典型延遲小于250ns,典型上升和下降時(shí)間為100ns,極為適合要求IGBT和MOSFET快速開關(guān)的應(yīng)用。

今天推出的驅(qū)動(dòng)器可在15V~32V電源電壓和-40℃~+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(jí)(MSL)達(dá)到J-STD-020 1級(jí),倉儲(chǔ)壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。

VOL3120現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。

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