21ic電源網(wǎng) 英飛凌科技股份有限公司今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺(tái)，用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級(jí)別的高壓 IGBT的性能。為使新模塊的優(yōu)點(diǎn)得到更廣泛應(yīng)用，英飛凌將向所有 IGBT 功率模塊生產(chǎn)商提供免授權(quán)費(fèi)許可。使用該平臺(tái)概念的首批產(chǎn)品將包括3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 和6.5kV (275 A)等電壓等級(jí)，并采用全新的100mm X 140mm X 40mm 封裝設(shè)計(jì)尺寸。新模塊將于 2015 年 5 月 19 日 至 21 日在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM展期間亮相，同時(shí)低電壓等級(jí)的封裝正在開發(fā)中。

高性能可靠的IGBT模塊是工業(yè)和牽引驅(qū)動(dòng)、風(fēng)能和光伏、長(zhǎng)距離輸電等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。歷經(jīng) 30 年開發(fā)，芯片技術(shù)已發(fā)展到能讓IGBT滿足越來越高的能效和工作溫度要求，而且逐漸小型化，可靠性不斷提高，成本降低，而僅基于對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)的有限改進(jìn)。但面對(duì)越來越苛刻和惡劣的應(yīng)用環(huán)境，這種方法已到達(dá)極限，使得高功率模塊封裝技術(shù)的改進(jìn)成為性能持續(xù)改善的關(guān)鍵因素。

英飛凌開發(fā)的新模塊平臺(tái)符合當(dāng)前的高功率密度、高能效、長(zhǎng)生命周期和高堅(jiān)固性等新系統(tǒng)要求。此靈活概念允許將相同部件并聯(lián)，因此使得直流母線端子和電容器的結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)化。交流端子可只通過一個(gè)匯流排直接并聯(lián)。這一新型模塊的靈活性和可擴(kuò)展性極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠讓開發(fā)人員縮短產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到投放市場(chǎng)的所需時(shí)間。全新高功率模塊采用最新的封裝技術(shù)，有助于減少系統(tǒng)總成本和確保設(shè)計(jì)的未來適用性。

英飛凌科技股份有限公司工業(yè)功率控制部高功率產(chǎn)品總監(jiān)Markus Hermwille表示：“考慮到IGBT技術(shù)正面臨著越來越多的挑戰(zhàn)，我們非常高興能夠推出一種滿足當(dāng)前和可預(yù)見未來的工業(yè)需求封裝技術(shù)。我們十分肯定的是，這種全新模塊封裝將為所有要求苛刻的高功率應(yīng)用帶來極大益處。我們的目標(biāo)是通過供應(yīng)全新高功率平臺(tái)來構(gòu)建廣泛和可靠的基礎(chǔ)，這就是我們邀請(qǐng)業(yè)界采用這種設(shè)計(jì)的原因。”

供貨

采用此全新封裝設(shè)計(jì)的第一批產(chǎn)品為3.3kV模塊，將于2015年5月開始供應(yīng)樣品;2016年下半年開始量產(chǎn)。