EPC2100氮化鎵功率晶體管為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)在500 kHz、12 V轉(zhuǎn)1.2 V、10 A時(shí)實(shí)現(xiàn)接近93%峰值效率，以及在25 A時(shí)效率可高于90.5%。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2100 - 第一個(gè)可供商用的增強(qiáng)型單片式半橋氮化鎵晶體管。透過集成兩個(gè)eGaN功率場效應(yīng)晶體管形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時(shí))及功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。

在EPC2100半橋元件內(nèi)每一個(gè)器件的額定電壓是30 V。 上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是6 mΩ，下面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側(cè)場效應(yīng)晶體管的尺寸大約是低側(cè)器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降壓轉(zhuǎn)換器可取得最優(yōu)直流-直流轉(zhuǎn)換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官稱「現(xiàn)在設(shè)計(jì)師可利用氮化鎵技術(shù)所帶來的第一個(gè)范例 - 單片式eGaN 半橋器件系列，可節(jié)省空間、提高效率及降低系統(tǒng)成本。當(dāng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)延伸至數(shù)MHz的領(lǐng)域，集成多個(gè)分立器件變得更為重要以實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率及高功率密度。」

開發(fā)板

EPC9036開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸，包含一個(gè)EPC2100集成半橋元件，采用德州儀器的柵極驅(qū)動(dòng)器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能并設(shè)有多個(gè)探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計(jì)算效率。

價(jià)格及供貨

EPC2100單片式半橋元件的價(jià)格在一千批量時(shí)的單價(jià)為$5.81美元。 EPC9036開發(fā)板的單價(jià)為$137.75美元。