MOSFET，金屬-氧化層 半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的STripFET™ F7 系列低壓功率MOSFET產(chǎn)品新添三款100V汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7優(yōu)化了body-drain diode (體-漏極二極管)性能，在工作電壓范圍內(nèi)最大限度降低峰值電壓脈沖和開(kāi)關(guān)噪聲，實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)健、更可靠和更高效的設(shè)計(jì)。

STripFET™ F7的增強(qiáng)型槽柵結(jié)構(gòu)可降低通態(tài)電阻，同時(shí)降低內(nèi)部電容和柵電荷，使開(kāi)關(guān)速度更快、能效更高。這三款產(chǎn)品將這些優(yōu)勢(shì)引入汽車(chē)市場(chǎng)，創(chuàng)下汽車(chē)市場(chǎng)上最低的RDS(on) x 面積和關(guān)斷電能(Eoff)參數(shù)。

新產(chǎn)品對(duì)Crss/Ciss 電容比進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，以最大限度降低開(kāi)關(guān)噪聲，結(jié)合適合的二極管反向恢復(fù)軟度，可降低EMI/EMC電磁輻射，因此無(wú)需外部濾波電路，從而降低了電路板面積和成本。

新功率MOSFET是意法半導(dǎo)體針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的產(chǎn)品，能夠滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)大電流、高功率密度和高能效的要求，目標(biāo)應(yīng)用包括混動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)的DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器和諧振LC轉(zhuǎn)換器。

三款產(chǎn)品全都獲得AEC-Q101汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品認(rèn)證。STH315N10F7-2和STH315N10F7-6 采用低雜散電感、高輸出電流的H2PAK封裝，而STP315N10F7采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝。

STH315N10F7-2和STH315N10F7-6現(xiàn)已量產(chǎn)。