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國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2mΩ,顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“憑借在基準(zhǔn)MOSFET技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和不斷努力,IR推出了結(jié)合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術(shù)的MOSFET系列,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) ,繼續(xù)開(kāi)創(chuàng)卓越性能的先河。此外,在未來(lái)幾個(gè)月,我們將按照產(chǎn)品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準(zhǔn)MOSFET產(chǎn)品,以滿足客戶的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專(zhuān)為DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的,例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on),最高只有1.15mΩ,且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ,Qg 達(dá)到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件,不僅能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的熱性能,還可以根據(jù)給定的功率損耗要求,比現(xiàn)有解決方案使用更少的元件,節(jié)省電路板空間及成本。
所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W),并達(dá)到一級(jí)濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平,也不含鉛、溴化物和鹵素,且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
根據(jù)最新預(yù)測(cè),由于明年新冠疫苗的交付量幾乎減半,有史以來(lái)最賺錢(qián)的一些醫(yī)藥產(chǎn)品制造商將面臨收入下滑的局面。健康數(shù)據(jù)分析集團(tuán)Airfinity表示,輝瑞(Pfizer)、BioNTech和莫德納(Moderna)已開(kāi)始提高疫...
關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)分析 TE RF NI傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制,使其成為...
關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)