國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態(tài)電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻，可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外，該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本，因為在特定功率損耗下，它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件?！?/p>
此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。
IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。
產(chǎn)品的基本規(guī)格：
器件編號 | 典型RDS(on) @10V (mΩs) | 典型RDS(on) @4.5V (mΩs) | VGS (V) | ID @ TA=25ºC (A) | 封裝面積 (mm x mm) | 典型RDS(on) @10V x 面積 (mΩ x mm2) |
IRF6718 | 0.5 | 1.0 | +/-20 | 61 | 7 x 9.1 | 31.9 |
IRF6717 | 0.95 | 1.6 | +/-20 | 38 | 4.9 x 6.3 | 29.3 |
IRF6713 | 2.2 | 3.5 | +/-20 | 22 | 3.8 x 4.8 | 40.1 |
IR已開始接受量產(chǎn)訂單。
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