國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線轉換器集成電路,使直流總線轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉換器解決方案,在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上,實現效率高達97%的336W功率。
全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線轉換器的固定48V及36V到60V輸入橋式電路拓撲、同步降壓非隔離式DC-DC電路拓撲、針對移動通信的18V到36V輸入正激及推挽式轉換器,以及調節(jié)式輸出隔離式DC-DC應用中的次級同步整流。
業(yè)界標準的300W四分之一磚設計往往包含多達10個MOSFET(4個初級和6個次級)、1個脈寬調制(PWM)集成電路及2個半橋驅動器集成電路。IR的新芯片組方案則只有6個MOSFET(4個初級和2個次級)及1個單獨的集成電路,節(jié)省功率半導體零件數達46%。
此外,以這種芯片組制成的隔離式總線轉換器DC-DC能有效節(jié)省多達29%的占板空間,更可提升工作效率1.5個百分點。
IRF6646 80V MOSFET的最大導通電阻為9.5mΩ ,較相同面積的同類器件改善了37%,成為業(yè)界之最,并可針對初級橋式電路拓撲進行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大導通電阻為1.8mΩ ,是特別為次級同步整流優(yōu)化的。該器件可在相同面積下實現最低的導通電阻,超過同類器件22%。
IRF6645和IRF6635的 datasheet 可以在21IC器件搜索獲得,地址為