采用新一代TaRF8工藝制造的樣品將于1月開(kāi)始提供

東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布研發(fā)新一代TarfSOI™(東芝先進(jìn)的射頻絕緣體上硅(SOI))工藝—“TaRF8”，該工藝針對(duì)射頻(RF)開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低[1]插入損耗[2]。采用新工藝制造的SP12T[3]射頻開(kāi)關(guān)IC適用于智能手機(jī)，樣品出貨將于2016年1月啟動(dòng)。

SP12T為一款用于移動(dòng)應(yīng)用的傳輸射頻開(kāi)關(guān)IC，其搭載集成MIPI-RFFE[4]控制器，適用于3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE和LTE-Advanced[5]標(biāo)準(zhǔn)。采用東芝新一代工藝—東芝享有專(zhuān)利的、針對(duì)射頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化的SOI-CMOS[6]TarfSOI前端工藝—TaRF8制造的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低插入損耗(0.32db/2.7GHz)。與使用東芝當(dāng)前TaRF6工藝制造的產(chǎn)品相比，其插入損耗提高0.1dB，同時(shí)保持相同水平的失真特性。

隨著移動(dòng)通訊趨向于高速率、大容量數(shù)據(jù)傳輸，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備所使用的射頻開(kāi)關(guān)IC需要多端口支持和更高的射頻性能。在這一點(diǎn)上，降低插入損耗是一個(gè)尤為重要的因素，因?yàn)樗档蜕漕l傳輸功率損耗，可支持移動(dòng)設(shè)備具備更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。

東芝正在研發(fā)利用其內(nèi)部晶圓廠(chǎng)應(yīng)用SOI-CMOS技術(shù)的高性能射頻開(kāi)關(guān)IC，SOI-CMOS技術(shù)適合于集成模擬和數(shù)字電路。通過(guò)處理該生產(chǎn)流程的所有方面，從射頻工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)到射頻開(kāi)關(guān)芯片的設(shè)計(jì)和制造，東芝可以基于其自己的射頻開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品的研發(fā)結(jié)果反饋迅速改進(jìn)SOI-CMOS工藝技術(shù)。這種集成器件制造商(IDM)模式讓東芝能夠快速建立適合于實(shí)際產(chǎn)品的新工藝技術(shù)并將采用最新工藝技術(shù)制造的產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

東芝將繼續(xù)提高其TarfSOI工藝技術(shù)的性能并通過(guò)推出領(lǐng)先于其他制造商的尖端技術(shù)產(chǎn)品努力滿(mǎn)足客戶(hù)和市場(chǎng)對(duì)射頻開(kāi)關(guān)IC的需求。

Fig.1 Insertion Loss Characteristics of SOI Process “TarfSOI™” for RF Switches

注：

[1]截至2015年11月20日，射頻開(kāi)關(guān)IC市場(chǎng)。東芝調(diào)查。

[2]當(dāng)射頻信號(hào)通過(guò)射頻開(kāi)關(guān)傳輸時(shí)發(fā)生的功率損耗，以分貝(dB)表示

[3]單刀十二擲開(kāi)關(guān)

[4]一種適用于移動(dòng)設(shè)備射頻元件控制的串行總線(xiàn)接口規(guī)范，由MIPI(移動(dòng)通信行業(yè)處理器接口)聯(lián)盟射頻前端(RFFE)工作小組標(biāo)準(zhǔn)化。

[5]由3GPP(第三代合作伙伴計(jì)劃)規(guī)定的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。

[6]通過(guò)利用MOSFET溝道下的絕緣層來(lái)降低寄生電容的技術(shù)。SOI：絕緣體上硅

*TarfSOI是東芝公司的商標(biāo)。