Avago Technologies（安華高科技）今日宣布推出一對可在1.82到2.2 GHz頻率范圍內(nèi)工作的具有超低噪聲、高線性度、高增益的平衡放大器模塊。該系列產(chǎn)品采用業(yè)內(nèi)最小封裝尺寸(5.0 mm x 6.0 mm x 1.1 mm)，適用于各種天線、塔頂放大器(TMA)及宏型(macro-cell)、微型(micro-cell)和超微型(pico-cell)蜂窩式移動通信基站和中繼放大器的前端低噪聲放大器等領域。這款低噪聲放大器(LNA)的性能非常符合增強型全球移動通信系統(tǒng)(EGSM)、全球移動通信系統(tǒng)（GSM）、個人通信系統(tǒng)(PCS)和寬帶碼分多址(W-CDMA)網(wǎng)絡的需求。

Avago Technologies（安華高科技）的ALM-1222和ALM-1322平衡放大器模塊可降低系統(tǒng)噪聲指數(shù)和高信號水平地區(qū)的帶外頻率響應。它在設計上完全匹配50Ω負載，采用超小型的22針板上多芯片(MCOB)模塊封裝，不但簡化了系統(tǒng)設計，而且大幅度縮小了電路板的尺寸，并將所需外加元器件的數(shù)量降到了最低。ALM-1222所擁有的高輸出功率能力還使其成為了蜂窩式移動網(wǎng)絡基礎架構所需的發(fā)射器驅(qū)動放大器的絕佳選擇。ALM-1322的耗電量僅為ALM-1222的35%，雖然其線性度和輸出功率比較低，但卻可以應用于LNA和驅(qū)動放大器領域。

這次新推出的每款放大器模塊都由兩個部分組成，每個部分包括一個串接高線性度驅(qū)動晶體管的低噪聲晶體管，以實現(xiàn)噪聲指數(shù)、增益和線性度的卓越組合。這些產(chǎn)品出色的噪聲性能來自于Avago Technologies（安華高科技）所特有的砷化鎵(GaAs)E-pHEMT(增強模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管)工藝。它可以將所有匹配的元器件都整合到一個模塊中，同時50Ω的射頻輸入和輸出管腳也將在內(nèi)部進行交流耦合。這使得該模塊非常簡便易用，唯一需要外加的元器件就是直流電源旁路電容器。

Avago Technologies（安華高科技）的ALM-1222在2 GHz的條件下，當工作電壓為5V，耗電量為280 mA（標準值）時，可實現(xiàn)31 dB的增益、0.62 dB的噪聲指數(shù)、43.7 dBm的輸出三階攔截點(OIP3)；而在1dB增益壓縮(P1dB)時則可實現(xiàn) +27.5 dBm的輸出功率和45 dB的反向隔離。

耗電量較低的ALM-1322在5V電壓時的標準耗電量僅為100 mA，非常適用于以電池供電的應用，如射頻無線上網(wǎng)卡(Radio Card)等。它在2 GHz的條件下，當工作電壓為5V，耗電量為100 mA（標準值）時，增益為29.5 dB、噪聲指數(shù)為0.57 dB、OIP3為35.6 dBm、P1dB為 +17 dBm，而反向隔離則為42 dB。