富士通微電子（上海）有限公司推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM（*1）存儲(chǔ)器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）。

如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)（SoC）整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí)，存儲(chǔ)器也不會(huì)對(duì)操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢(shì)，如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)難度，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量。

目前，市場(chǎng)對(duì)消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來越高。為滿足這些需求，就會(huì)更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲(chǔ)器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間，進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡(jiǎn)化高速存儲(chǔ)器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。

圖1: 存儲(chǔ)器SiP上的散熱設(shè)計(jì)方案比較：
顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性

如圖1所示，迄今為止，使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，SiP發(fā)揮受限，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問題。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C。因?yàn)镾oC的最高溫度額定為125 °C，所以操作能夠正常進(jìn)行，但使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器僅可在最高為95 °C的溫度環(huán)境下運(yùn)行，因此不能使用這一SiP架構(gòu)。

要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90°C，器件可以運(yùn)行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴(kuò)大存儲(chǔ)器的工作溫度范圍。

富士通微電子正是應(yīng)對(duì)這一需求而開發(fā)出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費(fèi)類FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示，使用額定為125°C的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運(yùn)行良好，無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問題。

而且，即使在125°C的環(huán)境下運(yùn)行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%（詳細(xì)信息請(qǐng)參照附件2）。

富士通微電子將繼續(xù)為SiP開發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品，從而為消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案。

樣片提供

銷售目標(biāo)
每月共銷售一百萬片

產(chǎn)品特性
1. 業(yè)界首推在125 °C下運(yùn)行的芯片
這些新型FCRAM最高工作溫度為125 °C，與傳統(tǒng)SDRAM存儲(chǔ)器最高85°C或者95°C的溫度規(guī)格相比，提高了系統(tǒng)內(nèi)的允許功耗。因此，可以實(shí)現(xiàn)SiP解決方案，而這在以前是不可能的，例如：高性能數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的高功耗SoC若整合了存儲(chǔ)器會(huì)導(dǎo)致器件過熱。而且該產(chǎn)品可以使用低成本封裝，無需高溫規(guī)格。

2. 低功耗
通過將總線寬擴(kuò)大至64 bit、減少工作頻率和使用終端電阻（*2），與兩個(gè)使用16 bit總線寬的傳統(tǒng)DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高達(dá)50%。這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。

3. 高速數(shù)據(jù)帶寬
工作溫度是125 °C時(shí)，新型FCRAM通過使用64 bit總線寬并在最高工作頻率為200 MHz運(yùn)行時(shí)，可以提供3.2 GB/秒的數(shù)據(jù)傳輸率，這是傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM速度的兩倍。若工作溫度不高于105 °C（≤ 105 °C），在216 MHz的工作頻率下運(yùn)行時(shí)，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率將增加到3.46 GB/秒。

術(shù)語和注釋
*1. 消費(fèi)類FCRAM：FCRAM（快速循環(huán)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是富士通微電子具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的RAM內(nèi)核系統(tǒng)，以高速度和低功耗出名。消費(fèi)類FCRAM是指使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)低功耗SDRAM接口的FCRAM內(nèi)核，最適宜于消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

*2. 終端電阻：終端電阻是指在電線或信號(hào)終端跨接的電阻，用于消除信號(hào)反射帶來的干擾，但是其功耗較高。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片（ODT：片內(nèi)終結(jié)）。