以提供完整的NOR、NAND、RAM和PCM（相變移位存儲器）解決方案為己任，恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設(shè)計和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產(chǎn)品，全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導(dǎo)航儀等消費電子產(chǎn)品廠商，這些新產(chǎn)品將是一系列易于設(shè)計的存儲器解決方案；對于消費者，新產(chǎn)品將提供更大的存儲空間，他們可以在設(shè)備上保存相片、視頻和音樂，使用流行的多媒體應(yīng)用程序。

從機頂盒到手機，凡是消費電子產(chǎn)品都要儲存大量的數(shù)據(jù)，因此，NAND閃存繼續(xù)成為半導(dǎo)體行業(yè)中最大的市場之一。今天發(fā)布的新產(chǎn)品為恒憶帶來突出的競爭優(yōu)勢，擴展了領(lǐng)先的基于MLC（多級單元）、SLC（單級單元）技術(shù)的NAND閃存、以及Managed NAND閃存和NAND存儲卡，壯大了存儲子系統(tǒng)解決方案，包括多片封裝、軟件和固件單元。

“經(jīng)過我們的不懈努力，恒憶的NAND閃存產(chǎn)品迅速達到了市場領(lǐng)先水平，”恒憶公司副總裁兼數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Fabio Gualandris表示，“通過推出新的41nm工藝的NAND產(chǎn)品，恒憶將會給無線通信和嵌入式設(shè)計客戶帶來更高的價值，為數(shù)據(jù)存儲專用閃存市場提供先進的技術(shù)和高容量存儲器。配合使用恒憶的NOR產(chǎn)品和低成本的DRAM，恒憶為相關(guān)應(yīng)用提供了存儲容量與技術(shù)最優(yōu)的組合?！?nbsp;

Numonyx NAND：廣泛的產(chǎn)品組合，先進的制造技術(shù) 

今天發(fā)布的產(chǎn)品意味著恒憶把先進的41nm工藝的應(yīng)用到了客戶需要的產(chǎn)品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中，產(chǎn)品包括16Gb到32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產(chǎn)品， 2GB到32GB的eMMC Managed NAND產(chǎn)品，以及2GB到8GB的microSD移動存儲卡。恒憶還推出一款48nm SLC 1Gb NAND產(chǎn)品，為嵌入式和無線應(yīng)用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命更長的存儲解決方案。 

滿足市場對高密度Managed NAND的需求 

為了滿足市場對Managed NAND產(chǎn)品的需求，恒憶推出了41nm Managed NAND存儲設(shè)備。新產(chǎn)品具有管理NAND存儲器所需的基本控制功能，非常適合全球定位系統(tǒng)以及其它需要大量存儲管理的設(shè)備。多功能手機廠商將從整合Managed NAND和RAM的多芯片封裝中受益。

在目前競爭解決方案中，恒憶的32GB eMMC是當(dāng)前市場上存儲容量最高的解決方案，而且完全兼容4.3版的JEDEC eMMC標(biāo)準(zhǔn)，可以大幅度簡化設(shè)備廠商的產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計。eMMC 32GB可以保存多達16000張高分辨率數(shù)碼相片、8000首歌曲和長達20小時的高清視頻。新的32GB嵌入式閃存集成8顆32Gb NAND閃存芯片，集成一個專用控制器。額定工作溫度范圍 -25 °C到+85 °C，并支持1.7V-1.95V和 2.7V-3.6V雙電壓電源，可滿足無線產(chǎn)品等電池供電的移動設(shè)備對電源的要求。32GB容量的產(chǎn)品的樣片將于2009年1月上市。

恒憶的microSD解決方案給數(shù)據(jù)存儲帶來更多選擇

隨著移動用戶對數(shù)字內(nèi)容的需求日益增長，很多手機廠商給手機增加了一個 microSD存儲卡。迎合這種需求，恒憶將為無線客戶提供2GB到 8GB的microSD存儲卡。MicroSD存儲卡是為有插槽的舊式手機設(shè)計的，最大存儲容量為2GB。今天的microSDHC™ 存儲卡分為4GB和8GB (SDA Speed Class 6)兩類，特別適合新型手機，大多數(shù)新型手機都兼容這種大容量存儲卡。 

恒憶48nm 1Gb SLC NAND閃存提高安全性、讀寫速度和使用壽命

為了幫助用戶防止數(shù)據(jù)被惡意篡改，預(yù)防應(yīng)用程序被意外修改，恒憶48nm 1Gb SLC NAND增加一個128 KB的一次性可編程(OTP)區(qū)塊，確保存放在這個位置的數(shù)據(jù)不會被修改或破壞。此外，恒憶的1 Gb SLC NAND還大幅度提高了存儲器的性能，把數(shù)據(jù)讀取速度提高了一倍，從原來的每秒13MB提到現(xiàn)在的每秒26MB?；?8nm工藝，恒憶1 GbSLC NAND程序運行速度是90nm產(chǎn)品的4倍，擦除操作是90nm產(chǎn)品的8倍，使產(chǎn)品的性能更強，用戶的使用體驗更好。

為了延長存儲器的使用壽命，恒憶1 Gb SLC NAND提供了標(biāo)準(zhǔn)的每528字節(jié)地址空間1位ECC的選項，需要1位EEC校驗功能的應(yīng)用無需升級軟件或修改硬件，就能輕松升級到1位ECC校驗。 恒憶48nm  1Gb  NAND產(chǎn)品采用300mm技術(shù)生產(chǎn)，為客戶提供穩(wěn)定供貨。樣片目前已經(jīng)上市。