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低功耗異步雙端口SRAM產(chǎn)品組合（IDT）

時間：2008-11-24 11:13:00

關(guān)鍵字：低功耗 IDT SRAM 異步

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IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc. ）推出用于高端手機的業(yè)界領(lǐng)先的靈活、低功耗、異步雙端口新系列器件。作為處理器之間的橋接，新的 IDT 器件有利于手機設(shè)計人員最大限度降低設(shè)備復(fù)雜性，并通過增加的設(shè)計靈活性加快上市時間。此外，憑借增加的電源平面隔離功能，這些器件顯著降低了總系統(tǒng)功耗。

IDT 70P2X5 雙端口可與應(yīng)用處理器和基帶處理器配合使用，充分利用地址-數(shù)據(jù)復(fù)用（address-data mux，ADM）接口。與其它方法相比，該 ADM 接口的輸入/輸出（I/O）管腳數(shù)比在其他高端手機中常見的標(biāo)準(zhǔn)異步雙端口 SRAM的管腳數(shù)更少。IDT 雙端口使用減少了 50% 的處理器 I/O 引腳，釋放的引腳可支持需要的差異化功能。此外，IDT 雙端口還部署了 8 個可控制和/或監(jiān)控其它器件的動態(tài)可編程 I/O，幫助手機設(shè)計人員增加更多的差異化功能。

IDT 低功耗雙端口 SRAM 內(nèi)置的獨特電源平面隔離功能有利于手機實現(xiàn)真正的待機狀態(tài)，同時使整個處理子系統(tǒng)處于待機模式，顯著減低用電量，延長電池壽命。對于那些采用額外邏輯或復(fù)雜可編程邏輯器件（Complex Programmable Logic Devices – CPLD）實現(xiàn)復(fù)雜電源管理方法的客戶，IDT 的低功耗雙端口還可以通過省卻這些額外元件，幫助降低設(shè)計復(fù)雜性。

IDT 還推出了 70P2X9 雙端口系列新器件。這些新一代產(chǎn)品與 IDT 之前的器件引腳向后兼容，無需重新設(shè)計即可實現(xiàn)增加的功能。為了幫助實現(xiàn)設(shè)計靈活性，該系列器件還在兩個端口上內(nèi)置了可選的 ADM/ 非ADM 操作、各種內(nèi)核和 I/O 電源電壓支持、256K 密度選項和電源平面隔離功能。

IDT 通信部副總裁兼總經(jīng)理 Fred Zust 表示：“高端手機消費需要高速下載及高質(zhì)量回放功能，還要在不消耗太大電池功耗的前提下實現(xiàn)要求的速度和質(zhì)量。我們發(fā)現(xiàn)基帶和應(yīng)用處理器間的接口是主要的性能瓶頸和電池消耗大戶。很明顯，需要新的互連架構(gòu)來解決來這個問題，因此我們在該應(yīng)用領(lǐng)域與領(lǐng)先的高端手機制造商和卓越的處理器元件供應(yīng)商緊密合作，設(shè)計了這些雙端口?！?

供貨
所有新的 IDT 雙端口器件目前已提供樣品，并以 100 引腳 fpBGA 封裝供貨。

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