低功耗256Mbit FCRAM(富士通微電子)
富士通微電子新型FCRAM特點(diǎn)是,其數(shù)據(jù)吞吐速度相當(dāng)于兩個(gè)擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM器件,而耗電卻降低70%,約1W。FCRAM的強(qiáng)大省電能力降低了消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功耗,同時(shí)更好的散熱能力不僅能簡化產(chǎn)品開發(fā)而且能降低元件成本。
富士通微電子預(yù)測該存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)的RAM,用于要求低功耗的消費(fèi)類數(shù)字電子產(chǎn)品,如數(shù)字電視及可攜式攝像錄像機(jī)等,是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值和成本降低的理想解決方案。
樣片價(jià)格和提供
產(chǎn)品名稱 |
樣片價(jià)格 |
樣片提供 |
MB81EDS256545 |
1,000 日元 |
自2008年6月26日起 |
銷售目標(biāo)
每月一百萬片
產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 數(shù)據(jù)傳輸時(shí)與DDR2 SDRAM相比,功耗最大減少了約為1W
DDR2 SDRAM和其它高速存儲(chǔ)器接口要求終端電阻在運(yùn)行時(shí)保持信號(hào)穩(wěn)定,這樣導(dǎo)致消耗更多的電流。這款新產(chǎn)品使用64bit位寬的I/O口在較低的工作頻率下運(yùn)行,不再需要終端電阻。其數(shù)據(jù)吞吐速度與兩個(gè)擁有16bit位寬的I/O口的DDR2 SDRAM相當(dāng),同時(shí)實(shí)現(xiàn)功耗減少70%,約1W。
2. 兩倍于DDR2 SDRAM的高速大規(guī)模圖像數(shù)據(jù)處理能力
該產(chǎn)品擁有64bit位寬的I/O口和高達(dá)216 MHz的工作頻率,每秒的最大數(shù)據(jù)吞吐量為3.46G字節(jié)(3.46 GBps),是典型DDR2 SDRAM的兩倍,適用于處理圖像/視頻數(shù)據(jù)和其它需要高帶寬的數(shù)據(jù),如數(shù)字電視等。
3. 專為SiP設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器節(jié)省了貼裝空間
產(chǎn)品設(shè)計(jì)把邏輯芯片集成到SiP,從而縮減了電路板上的貼裝空間,進(jìn)而降低元件和板材成本。除為SiP集成提供晶圓外形外,富士通微電子(FML)的新型FCRAM還可用于晶圓級封裝(WLP)。