瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產品R1LV3216R系列。32 Mb產品的樣品將于2008年4月開始在日本交付，64 Mb產品的樣品交付時間為7月份。

這兩個新系列將進一步擴展瑞薩科技采用專有存儲單元技術實現更小芯片尺寸和無軟錯誤的先進LPSRAM產品的陣容。兩個系列將以不同的封裝和不同的規(guī)格(例如存取時間)供貨?？偣彩?4 Mb產品和八款32 Mb產品可以滿足包括工業(yè)、辦公設備、消費類電子產品、汽車系統(tǒng)和通信設備等領域的各種需求。

R1WV6416R系列和R1LV3216R系列的主要功能概括如下。
（1）行業(yè)最大容量64 Mb的低功耗SRAM
新型64 Mb低功耗SRAM的每款產品都是在一個封裝中集成了兩個小型32 Mb先進LPSRAM芯片的堆棧，實現了業(yè)界最高的容量。這些器件可以滿足高性能系統(tǒng)的大容量低功耗SRAM需求，同時滿足以前需要多個低功耗SRAM器件才能實現的應用對減小空間的要求。

（2）廣泛的封裝陣容可滿足各種需求
為了滿足各種應用需求，這兩個新系列采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），而64 Mb產品還有FBGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝與以前的16 Mb產品尺寸相同，而FBGA封裝的焊球布局則為信號引腳兼容。這將有助于客戶在繼續(xù)使用其現有布局設計時增加存儲容量。

3）具備無軟錯誤和無鎖定的高可靠性
先進LPSRAM采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結構，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯誤，這可能是超精細SRAM存在的一個問題。此外，這種存儲單元結構還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題，它可能產生寄生電流流動并導致鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實現卓越的可靠性。

<典型應用>
•消費類產品：電子詞典，等等
•工業(yè)設備：自動販賣機、POS終端、自動檢票門，等等
•辦公設備：多功能復印機等等
•汽車系統(tǒng)：汽車導航系統(tǒng)，等等
•通信系統(tǒng)：電話交換機、路由器，等等