賽普拉斯半導體公司 (Cypress Semiconductor Corp.) 宣布其已開始提供業(yè)界首款Quad Data Rate II +(四倍數(shù)據(jù)率II+)和DDRII+（雙倍數(shù)據(jù)率II+）SRAM系列器件樣片。該新型存儲器芯片提供了全球最高密度和最高帶寬，比現(xiàn)有的QDRII 和DDRII產品的系統(tǒng)級帶寬提高50%之多。這些新型存儲器將加速各種數(shù)據(jù)密集型應用的讀寫功能，其中包括交換機、路由器、服務器、存儲設備、無線基站和測試設備等。
　　
　　采用165 引腳 FBGA 封裝的QDRII+和DDRII+產品，其工作速度高達500 MHz，與QDRII和DDRII 相比，器件外形尺寸保持不變，帶寬較高，可高達72 Gbps。新型存儲器得到 QDR 聯(lián)合開發(fā)工作組的支持，將與NEC、IDT、Renesas 和Samsung等其他聯(lián)合開發(fā)工作組成員的產品實現(xiàn)引腳兼容。Cypress的QDRII+/DDRII+ SRAM 系列器件采用了Cypress的90納米RAM9?工藝技術制造。
　　
　　賽普拉斯的存儲器與成像部產品市場營銷總監(jiān)Mathew Arcoleo 指出：“率先向市場推出QDRII+產品這一舉動，充分證實了Cypress繼續(xù)鞏固其在全球SRAM市場中的領先地位的決心。該新型器件為制造商提供了他們所需要的高密度和高性能，以擴展網絡功能并提供更多服務。”
　
　　賽普拉斯的72 Mbit QDRII+/DDRII+ 產品目前已提供樣片，預計將于2006年下半年開始投產，屆時將公布定價。如欲查看QDRII+部件照片，請訪問：www.cypress.com/QDRII+photo。