高隔離度SPDT開(kāi)關(guān) GaAs MMIC NJG1666MD7 (新日本無(wú)線)
新日本無(wú)線現(xiàn)開(kāi)發(fā)完成了最適合于TV調(diào)諧器等信號(hào)分離的高隔離度SPDT開(kāi)關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7,并已開(kāi)始供貨了。
近年來(lái),隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設(shè)備的增加,市場(chǎng)需求用于分離接收信號(hào)的具有高隔離度的SPDT開(kāi)關(guān)。為了適應(yīng)市場(chǎng)的要求,新日本無(wú)線開(kāi)發(fā)了最適合于信號(hào)分離的SPDT開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設(shè)備把已有的SPDT開(kāi)關(guān)多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實(shí)現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設(shè)備更加容易把信號(hào)分離而開(kāi)發(fā)的SPDT開(kāi)關(guān)。
特征1 同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗
完成了高隔離度的電路設(shè)計(jì)和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容,從而實(shí)現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性,并且實(shí)現(xiàn)了很難同時(shí)共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。
特征2 采用了小型、超薄型封裝
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.),實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3:2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減,使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。
特征3 實(shí)現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓
內(nèi)置有保護(hù)器件,從而實(shí)現(xiàn)了在MM(Machine Model)機(jī)器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。
應(yīng)用
・STB
・TV調(diào)諧器
產(chǎn)品性能
・低工作電壓 VDD =+2.0~+4.5V
・低切換電壓 VCTL(H) =+1.3V min
・低消耗電流 30μA typ.
・高隔離度 70dB typ. @f=250MHz
60dB typ. @f=1000MHz
60dB typ. @f=2200MHz
・低插入損耗 0.40dB typ. @f=250MHz
0.45dB typ. @f=1000MHz
0.50dB typ. @f=2200MHz
・高ESD耐壓 內(nèi)置有ESD保護(hù)電路
・無(wú)鉛無(wú)鹵化物
・小型、超薄型封裝 EQFN14-D7 (封裝尺寸: 1.6x1.6x0.397mm typ.)
生產(chǎn)計(jì)劃/參考價(jià)格
・樣品的供貨: 已經(jīng)從2009年12月開(kāi)始了
・生產(chǎn) ?。骸 ☆A(yù)定從2010年1月開(kāi)始,每月生產(chǎn)30萬(wàn)個(gè)
・參考價(jià)格 : 單價(jià)100日元以上